半导体制程用化学品应用.pptVIP

下载本文档

0
0
约小于1千字
约 33页
2024-08-23 发布于北京
举报
版权申诉

半导体制程用化学品应用.ppt

1、本文档共33页，可阅读全部内容。
2、原创力文档（book118）网站文档一经付费（服务费），不意味着购买了该文档的版权，仅供个人/单位学习、研究之用，不得用于商业用途，未经授权，严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等，侵权必究。
3、本站所有内容均由合作方或网友上传，本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺！文档内容仅供研究参考，付费前请自行鉴别。如您付费，意味着您自己接受本站规则且自行承担风险，本站不退款、不进行额外附加服务；查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档，您可以点击这里二次下载。
4、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等，请点击“版权申诉”（推荐），也可以打举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
5、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
6、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
7、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
8、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次，网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档

集成電路工業體系;BasicStructureofaProductionProcess;WetChemicalProcess

Processtype Numberinthe64Mproduction

Stripping about20

Etching about15

Cleaning about30;WetChemicalsinICProduction;UseofKeyChemicalsintheSemiconductorProduction;濕式清潔技術與化學品;濕式清潔技術與化學品;濕式清潔技術與化學品;微影技術用化學品;微影技術用化學品;微影技術用化學品;蝕刻技術用高純度化學品;濕式蝕刻技術與化學品;二氧化矽層蝕刻;一般是以熱磷酸（140oC以上）溶液作為Nitride層蝕刻液，反應溫度愈高，磷酸組成在水份蒸發後也隨之升高，蝕刻率也會加快，在140oC時，蝕刻率約在20?/min，當溫度上升至200oC時，蝕刻率可達200?/min，實務上多使用85%之H3PO4溶液。化學反應式如下：

Si3N4+6H2O3SiO2+4NH3

H3PO4actasacatalystinSi3N4etching

;鋁層蝕刻;單晶矽/多晶矽層蝕刻;晶背蝕刻;化學機械研磨用材料及化學品;化學機械研磨用材料及化學品;化學機械研磨後清洗;Wafer;Wafer;Wafer;;;Wafer;Wafer;Wafer;CuTechnology;CMPProcess;LowKMaterial;ProcessChemicalsSummary