光电二极管11947_原创文档.pdf

光电二极管（Photo-Diode）和普通二极管一样，也是由一个PN结组成的半导体器件，也

具有单方向导电特性。但在电路中它不是作整流元件，而是把光信号转换成电信号的光电传

感器件。

原理：

普通二极管在反向电压作用时处于截止状态，只能流过微弱的反向电流，光电二极管

在设计和制作时尽量使PN结的面积相对较大，以便接收入射光。光电二极管是在反向电压

作用下工作的，没有光照时，反向电流极其微弱，叫暗电流；有光照时，反向电流迅速增大

到几十微安，称为光电流。光的强度越大，反向电流也越大。光的变化引起光电二极管电流

变化，这就可以把光信号转换成电信号，成为光电传感器件。

PN型

特性：优点是暗电流小，一般情况下，响应速度较低。

用途：照度计、彩色传感器、光电三极管、线性图像传感器、分光光度计、照相机曝

光计。

PIN型

特性：缺点是暗电流大，因结容量低，故可获得快速响应。

用途：高速光的检测、光通信、光纤、遥控、光电三极管、写字笔、传真。

检测方法

①电阻测量法

用万用表1k挡。光电二极管正向电阻约10MΩ左右。在无光照情况下，反向电阻为∞

时，这管子是好的(反向电阻不是∞时说明漏电流大)；有光照时，反向电阻随光照强度增加

而减小，阻值可达到几kΩ或1kΩ以下，则管子是好的；若反向电阻都是∞或为零，则管子

是坏的。

②电压测量法

用万用表1V档。用红表笔接光电二极管“+极，”黑表笔接“—”极，在光照下，其电压与

光照强度成比例，一般可达0．2—0．4V。

③短路电流测量法

用万用表50μA档。用红表笔接光电二极管“+极，”黑表笔接“—”极，在白炽灯下(不能

用日光灯)，随着光照增强，其电流增加是好的，短路电流可达数十至数百μA。

主要技术参数：

1.最高反向工作电压；

2.暗电流；

darkcurrent也称无照电流光电耦合器的输出特性是指在一定的发光电流IF下，光敏

管所加偏置电压VCE与输出电流IC之间的关系，当IF=0时，发光二极管不发光，此时的

光敏晶体管集电极输出电流称为暗电流，一般很小。此外在生理学方面，是指在无光照时视

网膜视杆细胞的外段膜上有相当数量的Na离子通道处于开放状态，故Na离子进入细胞内，

形成一个从外段流向内段的电流，称为暗电流（darkcurrent）。暗电流是指器件在反偏压

条件下,没有入射光时产生的反向直流电流.(它包括晶体材料表面缺陷形成的泄漏电流和载

流子热扩散形成的本征暗电流.)所谓暗电流指的是光伏电池在无光照时，由外电压作用下

P-N结内流过的单向电流。光电倍增管在无辐射作用下的阳极输出电流称为暗电流

3.光电流；

4.灵敏度；

5.结电容；

6.正向压降；

7.响应度

响应度是光生电流与产生该事件光功率的比。工作于光导模式时的典型表达为A/W。

响应度也常用量子效率表示，即光生载流子与引起事件光子的比。

8.噪声等效功率

噪声等效功率（NEP）等效于1赫兹带宽内均方根噪声电流所需的最小输入辐射功率，

是光电二极管最小可探测的输入功率。

9.频率响应特性

光电二极管的频率特性响应主要由3个因素决定：

a.光生载流子在耗尽层附近的扩散时间；

b.光生载流子在耗尽层内的漂移时间；

c.负载电阻与并联电容所决定的电路时间常数。

光电二极管与光电倍增管相比，具有电流线性良好、成本低、体积小、重量轻、寿命

长、量子效率高（典型值为80%）及无需高电压等优点，且频率特效好，适宜于快速变化

的光信号探测。不足是面积小、无内部增益（雪崩光电管的增益可达100~1000，光电倍增

管的增益则可达100000000）、灵敏度较低（只有特别设计后才能进行光子计数）以及相

应时间慢，且工艺要求很高。

光电二极管和一般的半导体二极管相似，可以暴露（探测真空紫外）或用窗口封装或

由光纤连接来感光。

工作原理：

光电二极管是将光信号变成电信号的半导体器件。它的核心部分也是一个PN结，和

普通二极管相比，在结构上不同的是，为了便于接受入射光照，PN结面积尽量做的大一些，

电极面积尽量小些，而且PN结的结深很浅，一般小于1微米。