集成电路设计常用半导体器件.pptxVIP

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2024-08-25 发布于北京
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集成电路设计常用半导体器件.pptx

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1;能带;3;4;电子遵循费米-狄拉克（Fermi-Dirac）统计分布规律。能量为E的一个独立的量子态被一个电子占据的几率为：

;6;当E-EF》k0T时,;对导带或价带中所有量子态，电子或空穴都可以用玻耳兹曼统计分布描述。由于分布几率随能量呈指数衰减，因此导带绝大部分电子（浓度）分布在导带底附近，价带绝大部分空穴分布在价带顶附近，起作用的载流子都在能带极值附近。

;9;10;11;本征半导体(Intrinsicsemiconductor);;;;本征半导体的能带——用能量关系表达本征激发;本征半导体载流子浓度与费米能级;杂质半导体(Impuritysemiconductor);N型半导体;价带;多数载流子(多子)——富裕的载流子

少数载流子(少子)——稀少的载流子;在硅或锗的晶体中掺入少量的3价杂质元素，如硼B、镓Ga、铟In等，即构成P型半导体(或称空穴型半导体)。;受主电离;说明：;;施主能级被占据几率为：;电离受主浓度;28;杂质的补偿作用——工艺的需要，因器件很小;同时含一种施主杂质和一种受主杂质;31;32;平衡PN结;34;35;36;37;空间电荷区;39;电子;41;正向电流转换和传输;PN结的正、反向V-A特性;正向电压——正向导通；正向注入使边界少数载流子浓度增加很大，成指数规律增加，电流随着电压的增加快速增大；;45;46;47;48;49;50;2）隧道击穿(Zenerbreakdown)（齐纳击穿或场致击穿）

——量子贯穿，可逆;52;53;54;55;56;57;58;59;60;61;62;63;“双极”——Bi-polar;65;发射结正向偏置---发射电子;集电结反向偏置---收集电子;68;69;3.晶体管的能带及其载流子的浓度分布;非平衡状态，

加外电压，

发射结正偏(Forwardbias)，

集电结反偏(Reversebias)，

没有统一的费米能级。;4.晶体管的直流电流放大系数;73;74;75;6、共发射极连接的直流特性曲线(GummelFigure);反向饱和电流;输出特性曲线——可分为三个区;79;80;7、晶体管的反向电流与击穿特性(BreakdownEffect);集电极-发射极间的穿透电流（基极开路）ICEO;7.2晶体管的反向击穿电压;集电极—发射极反向击穿电压（基极开路）BUCEO;当基极有各种不同的偏置情况：;发射极—基极反向击穿电压（集电极开路）BUEBO;7.3穿通电压;+