《半导体物理学》三套模拟题及答案.doc

《半导体物理》模拟试题一

一：简单回答下面问题（共50分）

尽量多的列出你所知道的半导体材料的名称及其晶体结构

布洛赫函数说明了晶体中电子运动的什么特点

什么是杂质补偿效应

什么是光生伏特效应

什么是霍尔电势差

什么是爱因斯坦关系式，能不能用于简并半导体中？

金属与半导体接触有几种形式?

某种半导体由于存在表面态，使其表面能带向上弯曲，形成反型层，试问这种半导体是N型还是P型？如何才能检测这种半导体的导电类型？

什么是表面场效应

半导体中的空穴迁移率与哪些因素有关

二：4．由同种元素的原子组成的二维晶体,其原子排列如图所示.（20分）

1.说明原胞的形状，面积和含有的原子数目；

2.说明单胞的形状，面积及其含有的原子数目随（a与b的比值）变化的情况。

●●●

a●●

●●●

●●

●●●

b

三：

试画出理想PpN异质结能带图，并对此结构给予简单说明

一块P型半导体材料，具有施主型表面态，其表面能带向上还是向下弯曲？为什么？采用何种方法使它变平？（共20分）

四：（20分）某种一维晶体的电子能量E与波矢K的关系可表示为：。式子中是晶格常数，是电子的惯性质量。

1.试问这个能带中的电子，其速度和有效质量是如何随K变化的？请在第一布里渊区画出变化关系图

2.设一个电子在最初的K=0处，受到与电场无关的电场作用，最后达到有标志的状态，试讨论此过程中电子在真实空间中的位移量。

五：（15分）一个半导体棒，光照前处于热平衡态，光照后处于稳定态的条件，分别有图1和2给出的能带图来描述。设室温下的本征载流子浓度，试根据已知的数据确定：

1.热平衡时的电子和空穴密度，

2.稳态时的空穴密度

3.当棒被光照射时，小住入条件成立？说明理由。

EfpEfnEvEc0.26ev0.26evEcEiEv

Efp

Efn

Ev

Ec

0.26ev

0.26ev

Ec

Ei

Ev

Ef

图1图2

六：（15分）

一块有杂质补偿的硅材料，已知掺入受主密度=1×，室温下测得其恰好与施主

能级重合，并得知平衡电子密度为已知室温下的本征载流子浓度=1.5×，试求：

平衡少子的浓度，

掺入材料中的施主杂质密度是多少？

电离杂质和中性杂质的密度各是多少？

七：（10分）一个N型硅样品，电阻率为3，试在开始出现强反层时，求出表面空间电荷区中敲好为本征的位置与空间电荷区边界的距离。硅的相对介电常数=12，

《半导体物理》模拟试题一答案

金刚石结构：Ge锗，Si硅。闪锌矿结构：砷化镓(GaAs)，磷化铟（InP）,硫化锌（ZnS）;氮化镓（GaN）,氧化锌（ZnO）

布洛赫函数包括周期性因子和平面波因子，周期性因子描述了晶体中的电子在每个原胞中绕原子运动的情况，平面波因子描述电子在晶体中共有化的运动。

在同时掺有受主杂质和施主杂质的半导体中，两种杂质要相互补偿，使得施主提供导带电子和受主提供价带空穴的能力因相互抵消而减弱，这就是杂质补偿效应。

当用适当波长的光照射非均匀半导体时，由于内建场的作用，半导体内部将产生的电动势，这种由于