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CCD和COMS成像器件

电荷耦合器件（CCD）的成像器件属于固体成像器件，

其作用原理和寻址方式与电子束扫描的摄像管完全不同。

CCD已成为当前固体成像器件中较普遍采用的类型，但

不能代表所有的固体摄像器件。

CCD的应用主要有两大类：

一类是在电子计算机或其它数字系统中用作信息存贮和信

息处理，如用作延时器等，

另一类才是用于摄像器件。这种装置与真空摄像管的主要

区别在于它把光电转换、信号存贮及读取三个部分都集中

在一个支承片上，成为一个全固体摄像器件。

与真空摄像器件相比，CCD成像器件具有：

体积小、重量轻、结构简单、功耗小、成本低、

与集成电路工艺兼容等优点，

正得到深入发展和广泛应用，如黑白、彩色、微

光、红外摄像器件，用于军事探测、气象观察、

大气观察、医学观察、天文观察、火灾报警、闭

路监控等等。

随着集成电路水平的提高，CMOS型成像器件水

平提高得很快，也得到了广泛的应用，已经成为

CCD成像器件的有利竞争者。

CCD成像器件基本结构与原理

四个基本动作

光电转换（将光转换成信号电荷）

电荷的储存（储存信号电荷）

电荷的转移（转移信号电荷：CCD的功能）

电荷的检测（将信号电荷转换成电信号）

光电转换（略）

1.本征吸收

价带电子吸收光子能量跃迁至导带。Ec

hhE

长波限：0g

hc

hEE

gV

0

1.24

(m)

0

Eg(eV)

对于Si单晶，禁带宽度1.1eV；

能量大于禁带宽度1.1eV的光，波长约在

1100nm以下；h



可见光，波长380~780nm

电荷的储存

SchematiccrosssectionofanMOScapacitoronap-typesiliconsubstrate,with

apositivevoltageonthegate.Thedepletionregionisindicatedbythedottedline.

6.1电荷耦合器件的基本原理

6.1.1MOS结构特征

MOS电容即金属（Metal）-氧化物(Oxidation)-半

导体(Seminconductor)构成的电容器，常称为MOS电

容，或MOS结构。

UG

Al

SiO2

金属

电介质

P-Si衬底