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电子科技大学-2007年秋季《模拟电路基础》期中考试试题(以及参考答案--第1页
电子科技大学二零零七至二零零八学年第一
学期期中考试
模拟电路基础课程考试题B卷（120分钟）考试形式：开卷
考试日期2006年11月11日
课程成绩构成：平时10分，期中30分，实验
0分，期末60分
参考答案及评分标准
一（10分）、问答题
1．（3分）普通二极管的最主要的特性是什么？利用这一特性，二极管
可以构成哪些应用电路（列出四类不同的应用电路）？分析这些应用电
路的工作原理时，分别采用二极管的什么模型？
答：单向导电性。（1分）
整流电路、限幅电路、箝位电路、倍压电路、逻辑电路等。（1
分）
理想开关模型或恒压降模型。（1分）
2．（1分）稳压二极管工作在击穿区时的交流小信号等效电阻与正偏导
通时的交流小信号等效电阻比较，一般来说，哪个大？
答：后者大。
3．（2分）基本共射放大电路中，在无负载的情况下，动态范围最大值
是什么？为了获得最大的动态范围，静态工作点应如何设置？
答：(V-V)/2。（1分）
CCCES
放大区的中央。（1分）
4．（3分）BJT放大电路中，判断波形失真（饱和失真或截止失真）、
动态范围通常采用直流负载线还是交流负载线？静态工作点的变化如何
影响失真类型和动态范围？
答：交流负载线。（1分）
静态工作点靠近饱和区时，先出现饱和失真；靠近截止区时，先出
现截止失真。（1分）
电子科技大学-2007年秋季《模拟电路基础》期中考试试题(以及参考答案--第1页
电子科技大学-2007年秋季《模拟电路基础》期中考试试题(以及参考答案--第2页
都会使动态范围变小。（1分）
5．（1分）BJT的r和MOSFET的r与厄利电压之间的关系式描述了晶
ceds
体管输出特性曲线的什么现象？
答：在放大区微微上翘的现象。（1分）
电子科技大学-2007年秋季《模拟电路基础》期中考试试题(以及参考答案--第2页
电子科技大学-2007年秋季《模拟电路基础》期中考试试题(以及参考答案--第3页
二（4分）、试推导BJT和MOSFET的g的表达式，并说明：在一般情况
m
下，为什么单级MOSFET放大电路增益不及单级BJT放大电路大？
答：BJT的g的推导过程（略）（1分）
m
MOSFET的g的推导过程（略）（1分）
m
因为BJT的g与集电极电流成正比（1分），而MOSFET的g与漏
mm
极电流的平方根成正比（1分）。
三（8分）、放大电路如图1所示，已知BJT的V=0.7V，r=0，β=200。
BEbb’
（1）求放大电路在中频段的输入电阻R和电压放大倍数A；
iv
（2）说明电阻R的作用。
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