培训课件光伏基础知识介绍课件(共62张).pptVIP

光伏根底知识介绍vv

主要内容1.光伏产品的应用2.光伏产业链介绍-硅片3.光伏产业链介绍-电池4.光伏产业链介绍-组件5.光伏产业链介绍-系统vv

光生伏特效应示意图光伏发电的应用1839年，法国Becqueral〔贝克勒尔〕第一次发现，在光照条件下，某些系统的两端具有电压，用导线将两端连接起来后，有电流输出，这就是光生伏特效应〔photovoltaics，简称PV〕.1954年,贝尔实验室Chapin等人开发出效率为6％的单晶硅太阳电池，现代硅太阳电池时代从此开场.vv

光伏发电的应用天宫一号与神九对接群众汽车太阳能天窗vv

光伏发电的应用太阳能飞行器太阳能汽车vv

光伏发电的应用小型光伏系统大型光伏系统vv

光伏发电的应用通过光伏供电的通讯基站太阳能电池充电器vv

光伏产业链介绍vv

光伏产业链介绍〔一〕硅片vv

光伏产业链介绍vv

光伏产业链介绍多晶硅碇单晶硅棒vv

光伏产业链介绍单晶硅片多晶硅片vv

光伏产业链介绍破锭vv

光伏产业链介绍切片vv

光伏产业链介绍1、型号〔P型和N型，P型多晶硅是掺B，N型多晶硅是掺P〕2、电阻率3、少数载流子寿命4、硅片边长5、对角线长度6、倒角7、厚度8、总厚度变化硅片性能参数vv

光伏产业链介绍总体来说，单晶和多晶硅锭的生长方法各有所长，单晶的转换效率高，但产能低、能耗大；多晶的转换效率相对较低，但能耗低、产能大，适合于规模化生产.单多晶硅片比较vv

光伏产业链介绍〔二〕电池片vv

光伏产业链介绍单晶硅太阳电池多晶硅太阳电池多晶硅太阳电池与单晶硅太阳电池的最大差异在于硅片，多晶硅片是许多硅晶粒的集合体vv

光伏产业链介绍正面和反面的金属电极用来收集光激发的自由电子和空穴，对外输出电流；减反射薄膜的作用是减小入射太阳光的反射率；pn结的作用是将光激发的自由电子输送给n型硅，将自由空穴输送给p型硅.晶体硅太阳电池构造vv

光伏产业链介绍掺磷原子〔P〕掺硼原子〔B〕P杂质原子最外层的电子数比硅原子多一个.P杂质原子多余的电子很容易挣脱原子核的束缚，成为自由移动的电子.掺P杂质的Si半导体主要依靠电子导电，称为n型Si，P杂质称为施主杂质.B杂质原子最外层的电子数比硅原子少一个，相当于B杂质原子最外层多了一个空穴.在常温条件下，B杂质原子多余的空穴很容易挣脱原子核的束缚.掺B杂质的Si半导体主要依靠空穴导电，称为p型Si，B杂质称为受主杂质.单晶硅的晶体构造.单晶硅体内的每个硅原子〔Si〕最近邻有四个Si原子.未掺杂的硅称为本征硅.PN结vv

光伏产业链介绍PN结Si原子P杂质B杂质电子空穴内建电场n型硅中有数量较多的电子，p型硅中有数量较多的空穴.当n型硅和p型硅结合在一起后，n型硅中有局部电子往p型硅中扩散，p型硅中有局部空穴往n型硅中扩散，使得n型硅在交界处附近留下带正电的离子实，p型硅在交界处附近留下带负电的离子实.这两种离子实在交界处附近的区域内产生电场，称为内建电场，电场方向由n型硅指向p型硅.n型硅和p型硅交界处附近的区域称为pn结.vv

光伏产业链介绍光生伏特效应vv

光伏产业链介绍在太阳光的照射下，硅片中激发出自由电子和自由空穴.自由电子和空穴扩散到p-n结附近，受到内建电场的作用，电子往n型硅中漂移，空穴往p型硅中漂移.电子带负电，空穴带正电.漂移到n型硅中电子使n型硅带多余的负电荷，对外表现出负电性；漂移到p型硅中的空穴使p型硅带多余的正电荷，对外表现出正电性.n型硅和p型硅之间对外具有一定的电势差，称为光生电压或者光生电动势.光生伏特效应vv

光伏产业链介绍光伏发电原理当太阳光照射到太阳电池外表时，由于光生伏特效应，太阳电池的正面电极和反面电极之间产生光生电压，用金属导线接上电灯、电器等负载，可为这些负载提供电流.vv

光伏产业链介绍太阳能电池制造流程vv

光伏产业链介绍I-V曲线将太阳电池接上负载.在光照条件下，改变负载的电阻，太阳电池的输出电压V、输出电流I和输出功率P将随之变化.记录下V、I、P的变化情况，并将数据绘成曲线，将得到上图的曲线，称为太阳电池的电流－电压特性.vv

光伏产业链介绍电池电性能参数短路电流Isc：负载的电阻为零时，太阳电池的输出电流；开路电压Voc：负载的电阻无穷大时，太阳电池的输出电压；最大功率点Pm：太阳电池的最大输出功率；最大功率点电流Im：输出功率最大时，太阳电池的输出电流；最大功率点电压Vm：输出功率最大时，太阳电池的输出电压；转换效率η：太阳电池的最大输出功率Pm与入射光功率的比值，是衡量太阳电池性能的最重要参数；填充因子FF：太阳电池的最大输出功率Pm与短路电流Isc、开路电压Voc乘积的比值；串联电阻