超高密度ITO靶材制备--MMF法.pdfVIP

三井金属公司过滤式成形模法

（MitsuiMembraneFilterMMF）

ITO靶材工艺

1.ITO粉的制备

将氧化铟(In0)、氧化锡(SnO)等原料粉末混合，煅烧产生In0母相及微细InSn0

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粒子混合物。具有特定形状的微细InSn0粒子，其特征（图1.1）从粒子之虚拟中心以放

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射线状形成针状突起的立体星形。InSn0微细粒子的水平费雷特(Feret)直径的平均值以

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0.25μm以上为较佳，InSn0微细粒子之圆形度系数的平均值以0.8为较佳，尤佳为0.73

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至0.49（图1.1.1）。成为IT0烧结体本身的体电阻值达1.35x10Ω•cm以下、结瘤和打弧

最少的溅镀靶材料。使用该ITO溅镀靶所获得一种物性参差较少的优异ITO膜，具有非晶质

安定性、高温下优异的膜特性，可容易进行之后的蚀刻加工，减低蚀刻残渣量。

图1.1微细粒子从水平方向的全像素数求出水平菲雷特直径的原理示意图

1.InO母相2.微细粒子3.粒界4.化合物相5.无微细粒子区10.ITO烧结体

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(源自JP2008063943CN101578245A烧结体及ITO溅射靶)

图1.2ITO靶材SEM(30000倍)微细粒子照片

2.素坯成形

将氧化铟氧化锡混合的原料粉末、离子交换水、5mm氧化锆球装入树脂制的罐中，球磨

混合20小时；加入有机添加剂(聚羧酸系分散剂)混合1小时；1小时后添加适量蜡系粘结

剂，球磨混合19小时。将所构成的磨浆(s1urry)注入到用以从陶瓷原料磨浆将水分减压排

水以获得成形体的由非水溶性材料所构成的过滤式成形模，且将磨浆中的水分予以减压排水

而制作成形体，并将此成形体进行干燥脱脂。

（源自ITO导电玻璃及相关透明导电膜之原理及应用台湾胜华科技股份有限公司黄

敬佩PPT报告）

图1.3三井膜过滤成型法（MMF）ITO靶材工艺示意图

平板成形模

凹凸性状成形模

1.浆料2.上成型框3.下成型框4.过滤膜（湿式滤布）5.填充材料6.排水孔

图1.4三井MMF-ITO成型装置示意图

（源自：JCN1229067A过滤式成形模法制备陶瓷烧结体的方法）

表1.1ITO靶材制备方法与密度特性比较

图1.5三井MMF-ITO靶材工艺流程图

3.烧结

将铟氧化物与锡氧化物所构成的混合物以过滤式成形模法制造成形体、干燥、脱脂

（400℃～600℃下），且将所获得的成形体加热到最高烧结温度为1580℃～1700℃（优选

1600℃～1650℃），并将该最高烧结温度之保持时间设为300秒以下，接着降温到第2次烧

结温度1400℃～1550℃（优选1500℃～1