半导体物理-第六章-pn结.ppt

第六章PN结;;pn相关器件认识;蓝紫光半导体;LED天花灯;一块p型半导体和一块n型半导体结合在一起，在其交接面处形成pn结。

pn结是各种半导体器件，如结型晶体管、集成电路的心脏。;高温熔融的铝冷却后，n型硅片上形成高浓度的p型薄层。;在n型单晶硅片上扩散受主杂质，形成pn结。

杂质浓度从p到n逐渐变化，称为缓变结。;pn结附近电离的受主、施主所带电荷称为空间电荷(不可移动)，所在的区域为空间电荷区。;电子从费米能级高的n区流向费米能级低的p区，空穴从p流到n区。;能带发生整体相对移动与pn结空间电荷区中存在内建电场有关。;本征费米能级Ei的变化与-qV(x)一致;同理，空穴电流密度为：;当电流密度一定时，载流子浓度大的地方，EF随位置变化小，而载流子浓度小的地方，EF随位置变化较大。;VD称为pn结的接触电势差或内建电势差.qVD为pn结的势垒高度.;qVD=EFn-EFp;平衡时pn结，取p区电势为零，势垒区一点x的电势V(x)，

x点的电势能为E(x)=-qV(x);因为E(x)=-qV(x);X点空穴浓度为，;1.外加电压下，pn结势垒的变化及载流子的运动;正向偏移下，非平衡状态;注入到p区的电子断与空穴复合，电子流不断转化为空穴流，直到全部复合为止。;反向偏移下，非平衡状态;2.外加直流电压下，pn结的能带图;正向偏压下的特征：

p、n区具有各自的费米能级EFn、EFp；

有净电流流过pn结；

正向偏压下，势垒降低qV;

qV=EFn-EFp；

EFn位置高于EFp

;反向偏压下pn结的能带结构;6.2.2理想pn结模型及其电流、电压方程;1.pp’处注入的非平衡少数载流子浓度：;pp’边界注入的非平衡少数载流子浓度为;同理，nn’边界注入的非平衡少数载流子浓度为;稳态时，非平衡少数载流子的连续性方程;边界条件：x??,pn(?)=pn0,

X=xn,;讨论：;在n区内部：xLp处;2.外加偏压下电流密度的关系;理想pn结，忽略势垒区内的复合-产生作用，

通过pp’界面的空穴电流密度为Jp(-xp)=通过nn’’界面的空穴电流密度为Jp(xn);;理想pn结的电压-电流方程，又称为肖克莱方程。;3.pn结的单向导电性;4.温度对电流密度的影响—强烈依赖温度;6.2.3影响pn结电流电压特性偏离理想方程的各种因素;引起偏离的原因;1.势垒区产生电流;势垒区内;2.势垒区复合电流;总的正向电流密度JF=扩散电流JFD+复合电流Jr;低电压时V减小时;3.大注入情况;总结：

低电压时，m=2,复合电流其主要作用；

高电压时，m=1,扩散电流其主要作用。;6.3pn结电容：;2.扩散电容;微分电容

;6.3.2突变结势垒电容-非线性的;突变结势垒区宽度XD为;Q=qNAxp=qNDxp;假设pn结面积为A;讨论：;较深的扩散结，在pn结附近，近似为线性缓变结;不管杂质如何分布，在耗尽层近似下，等效为一个平行板电容;6.3.4扩散电容;扩散电容随正向偏压指数式增长。;对pn结施加的反向偏压增大到某一数值VBR，反向电流突然迅速增大，这种现象称为pn结击穿。;载流子的倍增效应：载流子在势垒区不断发生碰撞电离，使载流子大量增加的现象。;2.;对一定的半导体材料，势垒区电场E越大，或?x越短，电子穿过隧道的概率p越大。;假设概率p=10-10，Si:Eg=1.12eV,?x=3.1nm。;3.热电击穿;5.pn结隧道效应;隧道结：重掺杂的p区和n区形成的结。;隧道结利用多子的隧道效应工作的。;小结-pn结的分类;小结-空间电荷区与内建电场;小结-pn结接触电势差;小结-pn结的伏安特性;理想pn结的电压-电流方程，又称为肖克莱方程。;小结-pn结电容;线性缓变结;小结-pn结的击穿;解：;2.试分析小注入时，电子〔空穴〕在五个区域中的运动情况〔分析漂移与扩散的方向及相对大小〕。;5.Si突变pn结，n区的;，;又;〔2〕;小3个数量级;〔3〕;;7.计算温度从300K增加到400K时，Sip-n结反向电流增加

的倍数。;8.设硅线性缓变结的杂质浓度剃度为;11.分别计算硅n+p结在正向电压为0.6V，反向电压40V时的势垒宽度。;当;12.分别计算硅p+n结在平衡和反压45V时的最大场强，已知;当