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发光二极管主要参数与特性
LED是利用化合物材料制成pn结的光电器件。它具备pn结结型器件
的电学特性：I-V特性、C-V特性和光学特性：光谱响应特性、发光光强
指向特性、时间特性以及热学特性。
1、LED电学特性
1.1I-V特性表征LED芯片pn结制备性能主要参数。LED的I-V特性具
有非线性、整流性质：单向导电性，即外加正偏压表现低接触
电阻，反之为高接触电阻
如左图：
⑴正向死
区：(图oa或
oa‘段)
a点对于V)
V
RJ1IIIIIl为开启电
]I亠
击反向死区工作区VFV压，当VvVa,
正向死区
穿_
区外加电场尚
克服不少因
载流子扩散
图.1.I-V特性曲线
而形成势垒电场，此时R很大；开启电压对于不同LED其值不同，GaAs
为1V,红色GaAsP为1.2V,GaP为1.8V,GaN为2.5V。
(2)正向工作区：电流IF与外加电压呈指数关系
旳-1)1为反向饱和电
IF=I(eqVs
s
流。
0时，VVF的正向工作区lF随VF指数上升IF=ISeqVFKT
V
(3)反向死区：Vv0时pn结加反偏压
V=-V时，反向漏电流|(V=-5V)时，GaP为0V,GaN为10uA。
R
R
(4)反向击穿区Vv-VR,VR称为反向击穿电压；VR电压对应IR为反向漏
电流。当反向偏压一直增加使Vv-V时，贝卩出现I突然
RR
增加而出现击穿现象。由于所用化合物材料种类不同，各种
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