发光二极管主要参数与特性(精).pdfVIP

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发光二极管主要参数与特性

LED是利用化合物材料制成pn结的光电器件。它具备pn结结型器件

的电学特性:I-V特性、C-V特性和光学特性:光谱响应特性、发光光强

指向特性、时间特性以及热学特性。

1、LED电学特性

1.1I-V特性表征LED芯片pn结制备性能主要参数。LED的I-V特性具

有非线性、整流性质:单向导电性,即外加正偏压表现低接触

电阻,反之为高接触电阻

如左图:

⑴正向死

区:(图oa或

oa‘段)

a点对于V)

V

RJ1IIIIIl为开启电

]I亠

击反向死区工作区VFV压,当VvVa,

正向死区

穿_

区外加电场尚

克服不少因

载流子扩散

图.1.I-V特性曲线

而形成势垒电场,此时R很大;开启电压对于不同LED其值不同,GaAs

为1V,红色GaAsP为1.2V,GaP为1.8V,GaN为2.5V。

(2)正向工作区:电流IF与外加电压呈指数关系

旳-1)1为反向饱和电

IF=I(eqVs

s

流。

0时,VVF的正向工作区lF随VF指数上升IF=ISeqVFKT

V

(3)反向死区:Vv0时pn结加反偏压

V=-V时,反向漏电流|(V=-5V)时,GaP为0V,GaN为10uA。

R

R

(4)反向击穿区Vv-VR,VR称为反向击穿电压;VR电压对应IR为反向漏

电流。当反向偏压一直增加使Vv-V时,贝卩出现I突然

RR

增加而出现击穿现象。由于所用化合物材料种类不同,各种

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