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CZ生长原理及工艺流程

法的基本原理，多晶体硅料经加热熔化，待温度合适后，经过

将籽晶浸入、熔接、引晶、放肩、转肩、等径、收尾等步骤，完成一根单晶锭的

拉制。炉内的传热、传质、流体力学、化学反应等过程都直接影响到单晶的生长

与生长成的单晶的质量，拉晶过程中可直接控制的参数有温度场、籽晶的晶向、

坩埚和生长成的单晶的旋转与升降速率，炉内保护气体的种类、流向、流速、压

力等。

CZ法生长的具体工艺过程包括装料与熔料、熔接、细颈、放肩、转肩、等径生

长和收尾这样几个阶段。

1．装料、熔料

装料、熔料阶段是CZ生长过程的第一个阶段，这一阶段看起来似乎很简单，

但是这一阶段操作

正确与否往往关系到生长过程的成败。大多数造成重大损失的事故(如坩埚破裂)

都发生在或起源于这一·阶段。

2．籽晶与熔硅的熔接

当硅料全部熔化后，调整加热功率以控制熔体的温度。一般情况下，有两个传

感器分别监测熔体表面和加热器保温罩石墨圆筒的温度，在热场和拉晶工艺改变

不大的情况下，上一炉的温度读数可作为参考来设定引晶温度。按工艺要求调整

气体的流量、压力、坩埚位置、晶转、埚转。硅料全部熔化后熔体必须有一定的

稳定时间达到熔体温度和熔体的流动的稳定。装料量越大，则所需时间越长。待

熔体稳定后，降下籽晶至离液面3～5mm距离，使粒晶预热，以减少籽经与熔硅

的温度差，从而减少籽晶与熔硅接触时在籽晶中产生的热应力。预热后，下降籽

晶至熔体的表面，让它们充分接触，这一过程称为熔接。在熔接过程中要注意观

察所发生的现象来判断熔硅表面的温度是否合适，在合适的温度下，熔接后在界

面处会逐渐产生由固液气三相交接处的弯月面所导致的光环(通常称为“光圈”，)

并逐渐由光环的一部分变成完整的圆形光环，温度过高会使籽晶熔断，温度过低，

将不会出现弯月面光环，甚至长出多晶。熟练的操作人员，能根据弯月面光环的

宽度及明亮程度来判断熔体的温度是否合适。文档来自于网络搜索

3．引细颈

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虽然籽晶都是采用无位错硅单晶制备的[16～19]，但是当籽晶插入熔体时，

由于受到籽晶与熔硅的温度差所造成的热应力和表面张力的作用会产生位错。因

此，在熔接之后应用引细颈工艺，即Dash技术，可以使位错消失，建立起无位

错生长状态。文档来自于网络搜索

Dash的无位错生长技术的原理见7．2节。金刚石结构的硅单晶中位错的滑

移面为{111}面。当以[l00]、[lll]和[ll0]晶向生长时，滑移面与生长轴的最小夹角

分别为36．16°、l9．28°和0°。位错沿滑移面延伸和产生滑移，因此位错要

延伸、滑移至晶体表面而消失，以[100]晶向生长最容易，以[111]晶向生长次之，

以[ll0]晶向生长情形若只存在延伸效应则位错会贯穿整根晶体。细颈工艺通常采

用高拉速将晶体直径缩小到大约3mm。在这种条件下，冷却过程中热应力很小，

不会产生新的位错。因此，细颈的最小长度L与直径D的关系可由下式表示：文

档来自于网络搜索

式中，θ为滑移面与生长轴的最小夹角。高拉速可形成过饱和点缺陷。在这种条

件下，即使[ll0]晶向生长位错也通过攀移传播到晶体表面。实践发现，重掺锑晶

体细颈粗而短就可以消除位错