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半导体量子点及其应用概述

【摘要】半导体量子点是由少量原子组成的准零维的纳米量子结构，表现

出较其它维度的结构的半导体材料更优越的性能，被广泛应用于量子计算、量子

生物医学、量子光伏器件、量子发光器件和量子探测器中，是现在前沿科学研究

的热门课题之一。

【关键词】量子点；纳米结构；量子效应；量子点应用

０引言

近年来半导体材料科学主要朝两个方向发展：一方面是不断探索扩展新的半

导体材料，即所谓材料工程；另一方面是逐步从高维到低维深入研究己知半导体

材料体系，这就是能带工程。半导体量子点就是通过改变其尺寸实现能级的改变，

达到应用的目的，这就是半导体量子点能带工程。半导体量子点是由少量原子组

成的准零维纳米量子结构，原子数目通常在几个到几百个之间，三个维度的尺寸

都小于100纳米。载流子在量子点的三个维度上运动受尺寸效应限制，量子效应

非常显著。在量子点中，由于量子限制效应作用，其载流子的能级类似原子有不

连续的能级结构，所以量子点又叫人造原子。由于特殊能级结构，使得量子点表

现出独特的物理性质，如量子尺寸效应、量子遂穿效应、库仑阻塞效应、表面量

子效应、量子干涉效应、多体相关和非线性光学效应等，它对于基础物理研究和

新型电子和光电器件都有很重要的意义，量子点材料生长和器件应用研究一直是

科学界的热点之一[1]。

1量子点制备方法

目前对量子点的制备有很多方法，主要有外延技术生长法、溶胶-凝胶法

（Sol-gel）和化学腐蚀法等，下面简单介绍这几种制备方法：

1.1外延技术法

外延技术法制备半导体量子点，主要是利用当前先进的分子束外延（MBE）、

金属有机物分子束外延（MOCVD）和化学束外延（CBE）等技术通过自组装生

长机理，在特定的生长条件下，在晶格失配的半导体衬底上通过异质外延来实现

半导体量子点的生长，在异质外延外延中，当外延材料的生长达到一定厚度后，

为了释放外延材料晶格失配产生的应力能，外延材料就会形成半导体量子点，其

大小跟材料的晶格失配度、外延过程中的条件控制有很大的关系，外延技术这是

目前获得高质量半导体量子点比较普遍的方法，缺点是对半导体量子点的生长都

是在高真空或超高真空下进行，使得材料生长成本非常高。

1.2胶体法

胶体法是指金属的有机或无机物经过溶液、溶胶而固化形成量子点，在离心

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力作用下可以涂覆在衬底表面，经过退火处理而成为所需纳米团簇的方法。这种

方法是要把胶体带有纳米孔状的模板中，经过高温退火处理后，模板会自动去除，

而胶体颗粒也会在高温下形成晶体，颗粒的大小与模板孔尺寸、胶体浓度和退火

温度等因素有关。这种制备量子点方法的优点是，方法简单，不需要复杂的仪器

设备，成本较低，可以大面积制备纳米颗粒，缺点是不易形成高质量晶体颗粒和

极易受到空气中的灰尘污染。

1.3化学腐蚀法

腐蚀法是利用化学液体对不同的半导体材料的腐蚀速率差异和晶体材料的

各向异性，通过腐蚀光刻技术在晶体衬底留下的图形，从而达到纳米量级的量子

点。该方法是通过腐蚀晶体衬底直接获得量子点材料，量子点表现出纯度高、性

能优越，但是由于腐蚀的各向异性，量子点材料的尺寸非常不均匀[2]。

2量子点的应用

量子点在我们的日常生活中有着非常重要的作用，主要应用在量子光电器

件、量子计算和量子生物医学等方面，下面我们将逐一进行简单的介绍：

2.1量子计算

在量