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基于TCAD的VDMOS功率器件仿真研究的开题报

告

一、选题背景

功率器件是电力电子技术应用的重要组成部分，其中VDMOS

(VerticalDouble-DiffusedMOSFET)器件是一种常用的功率场效应晶体管，

具有体内隔离、低导通电阻、低开关损耗等优点，广泛应用于电源、驱

动器、直流电机控制等领域。为了提高VDMOS器件的可靠性和性能，必

须对其内部结构和工艺进行深入研究和优化。因此，利用TCAD

(TechnologyComputer-AidedDesign)软件对VDMOS器件进行仿真分析

具有重要的理论和实践意义。

二、研究目的

本课题旨在基于TCAD软件，对VDMOS功率器件进行仿真分析和优

化研究，主要包括以下几个方面：

1.建立VDMOS器件的三维模型，并进行网格划分和电学参数设置。

2.对VDMOS器件内部结构进行仿真分析，研究其电场分布、耗散

功率、热分布等特性。

3.优化VDMOS器件的工艺参数，提高其性能和可靠性。

4.仿真验证和实验测试，对比分析仿真结果和实验数据。

三、研究内容和关键技术

本课题的主要研究内容和关键技术包括以下几个方面：

1.VDMOS的基础理论和结构特点，包括材料、工艺、结构等方面的

原理和特点。

2.TCAD软件的使用和建模技术，包括设备物理模型、材料参数、

结构定义、仿真设置等方面的知识。

3.仿真分析和优化，包括电场分布、电流密度、电压分布、热分布

等方面的仿真分析和优化研究。

4.实验测试与结果分析，对比分析仿真结果和实验数据，验证仿真

模型的有效性和准确性。

四、预期成果和意义

通过对VDMOS功率器件的仿真分析和优化研究，预期可以得到以

下成果：

1.建立VDMOS器件的三维模型，并进行网格划分和电学参数设置，

得到VDMOS器件的电学特性和结构参数。

2.对VDMOS器件内部结构进行仿真分析，研究其电场分布、耗散

功率、热分布等特性，在理论上为VDMOS器件的优化设计提供依据。

3.优化VDMOS器件的工艺参数，提高其性能和可靠性，为电力电

子技术应用提供更优质的器件选择。

4.仿真验证和实验测试，对比分析仿真结果和实验数据，从而证实

仿真模型的有效性和准确性。

本课题的研究成果有较高的理论和实践意义，将为VDMOS功率器

件的优化设计和应用开发提供重要支持和参考。