核电池【光电检测】.pptx

;核电池;核电池的应用;2、航天领域：;3、航海、航空导航等领域;5、电动汽车

目前电动汽车所用的电池多为化学电池,体积庞大，充电后使用时间短、寿命短。;核电池在MEMS的应用;微型锂电池;微型核电池由于具有能量密度大、寿命长、受环境影响小、与MEMS工艺兼容等优点，成为了为MEMS和微／纳器件供电的重要选项。;微型核电池按换能原理不同可分为间接式和直接式两种。;用于微型电池的放射性同位素;自震荡悬臂梁式核电池;弹性变形的悬臂粱放于距离放射源一段间隔的位置，当悬臂粱收集了来自放射源的带电荷粒子后．放射源剩余负电荷。因此．产生了静电力，将悬臂粱吸引向放射源：当悬臂粱接触到放射源，悬臂粱放电从而回到初始位置，再次进行下一循环周期的电荷收集。因此．实现了自主往复式悬臂粱．或称直接收集型电荷运动转换装置。;核电池原理;半导体两面经过掺杂形成PN结时，结内就存在了内建电场，放射性同位素辐射出β粒子，其中动能大于半导体材料电离能的β粒子能使半导体原子电离产生电子-空穴对；

当电子或空穴运动到PN结时，在这个内建电场作用下，可实现对电子空穴对的分离，即电子向N区、空穴向P区运动；

半导体p-n结的两侧分别聚集了大量的电子和空穴，形成电势差，连接上外部负载就能形成电流对外输出能量。;PN结式同位素微电池结构;形成倒金字塔型能量转换结构：;为了增加输出功率,可以在p-n结上加工出垂直侧壁方孔阵列,以增大接触面积。;PN结式同位素微电池的工艺流程;(a):采用掺杂浓度为1017/cm3晶向为100的n型硅片为衬底;(b):在n型硅片表面热氧化生成2μmSiO2掩膜层,在SiO2表面用

LPCVD淀积2μmSi3N4掩膜层；

(c):用掩模版光刻。RIE干法刻蚀掉多余的Si3N4与SiO2形成湿法刻蚀的窗口；;(d):用KOH湿法腐蚀出深度为200μm,侧壁均为100晶向的垂直侧壁的方孔阵列；

(e):RIE除去Si3N4掩模层,用掩模版光刻,RIE除去多余SiO2掩膜层,形成掺杂p型区的窗口,此掺杂窗口避开了n型区的金属电极区,并为其留出了电极面积5倍以上的间隙。

(f):浓硼扩散形成结深为1μm,p型区浓度为1020/cm3的p-n结；;:HF缓冲液除去SiO2掩??层。溅射金属铜

:用掩模版光刻出n型区的金属电极区,p型区的金属电极区与电镀区,FeCl3的酸溶液刻蚀掉多余的金属铜。;对加工好的能量转换结构进行放射源电镀,采用含有次磷酸根的镍盐水溶液通过化学镀层的方式形成63Ni。电镀后,在微电池表面进行密封处理,避免放射源在工作时受到外界影响。;现有的硅基PN结式微型核电池输出功率已达到纳瓦级，但其结构的局限性导致电荷收集区域狭小，少子寿命短，能量转换效率低下。西北工业大学微/纳米系统实验室，设计出一种具有保护环结构的PIN复合结换能结构(其中I代表高阻N－型硅)：;依次包括上电极金属层、SiO2钝化层、P+硅区、N－(I)硅区、N

+硅区和下电极金属层.P+硅区和N－硅区中间形成宽度为W的耗尽层

。;(a)注入杂质P和B

(b)使用40%HF溶液去除二氧化硅层，快速热退火激活注入杂质.低压化学沉积二氧化硅并湿法腐蚀形成钝化层。

(c)制作正面电极和背面电极;2、碳化硅(4H-SiC)肖特基结式微型核电池;碳化硅(4H-SiC)肖特基结式微型核电池是一种利用辐生伏特效应，直接将辐射能转化为电能的供能装置。;结语