二极管和MOS管(精)课件.pptVIP

1.1半导体二极管一、PN结（PNjunction）扩散P------------N++++++++++++结构示意图如图所示，孔穴自由电子由于P区和N区载流子存在浓度差N区的自由电子向P区扩散，在交界面附近的N区留下正离子，P区的空穴向N区扩散，在交界面附近的P区留下负离子上一页返回下一页

交界面两侧形成了一个空间电荷区，即PN结正负空间电荷在交界面两侧形成一个内电场，内电场阻碍多数载流子的扩散运动但推动少数载流子做漂移运动最终扩散运动和漂移运动达到动态平衡，PN结稳定空间电荷区-P---N扩散diffusion++++++++--------漂移drift++++内电场UD上一页返回下一页

二、PN结的单向导电性1.加正向电压（简称正偏）forwardbiasPN结处于正向导通(on)状态，正向等效电阻较小。2.加反向电压反向电流非常小，PN结处于截止(cut-off)状态。动画演示上一页返回下一页

三、二极管的伏安特性阳极从P区引出，阴极从N区引出对应P区cathode阴极阳极anode对应N区二极管符号上一页返回下一页

II/mA3020+U-反向饱和电流正向特性死区电压10IsU2010OBR0.51.01.5U/V24反向特性反向击穿电压-I/μА二极管的伏安特性上一页返回下一页

U=Usinωtim二极管的应用-整流画出u和u的波形oDiVDuimoU++ui-u0+-ωtωtDRuouo-ioUm0ui＞0时二极管导通u=uu=0oiDuDu＜0时二极管截止i0-Umωtu=uu=0Dio上一页返回下一页

D1.2N沟道增强型MOS场效应管1.结构BGSDSiO2P衬底杂质浓度较低SG引出电极用B表示N+N+N+两个区杂质浓度很高分别引出源极和漏极P型衬底栅极与其它电极是绝缘的通常衬底与源极B铝N沟道增强型MOS场效应管的结构示意图在管子内部连接上一页返回下一页

2.工作原理V导电沟道的形成GGSDG假设U=0，同时U0DSGSN+N+靠近二氧化硅的一侧产生耗尽层N型沟道P型衬底当U增大到一定值U时，GST形成一个N型导电沟道又称之为反型层BU：开启电压TUU时GS形成导电沟道T导电沟道随U增大而增宽GS上一页返回下一页

IU对导电沟道的影响DDSVDD图中满足且UU-UVDSGSTGGDGS即U=U-UUGDGSDST产生电流I且随U变化N+N+DDSN型沟道P型衬底从而使导电沟道发生变化U增大到U=U-U时DSDSGST沟道被预夹断，I饱和DBU对导电沟道的动画演示DS影响上一页返回下一页