《应变GaN-AlGaN量子阱中受屏蔽激子的压力效应》范文.docxVIP

《应变GaN-AlGaN量子阱中受屏蔽激子的压力效应》范文.docx

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《应变GaN-AlGaN量子阱中受屏蔽激子的压力效应》篇一

应变GaN-AlGaN量子阱中受屏蔽激子的压力效应一、引言

随着纳米技术的发展，对半导体材料中的激子行为研究变得尤为重要。GaN和AlGaN材料因其独特的光电性质和稳定性在光电子器件领域受到广泛关注。本文将重点探讨在应变GaN/AlGaN量子阱中，受屏蔽激子在压力作用下的行为变化。

二、GaN/AlGaN量子阱的结构与基本原理

GaN/AlGaN量子阱是由交替排列的氮化镓（GaN）和铝镓氮（AlGaN）层构成的。这些层在晶体结构上形成势阱，能够束缚电子和空穴，形成激子。这种结构具有优异的电子和光学性能，在光电器件中具有广泛应用。

三、

该用户很懒，什么也没介绍

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