哈工大器件原理第八章噪声特性.pptVIP

第八章噪声特性;一、信噪比;噪声系数可看作：

单位功率增益下，晶体管噪声功率的放大系数。即晶体管无功率放大作用时，噪声功率增大的倍数，

总输出噪声功率与被放大的信号源噪声功率之比。;§8.2晶体管的噪声源;§8.2晶体管的噪声源;热噪声等效电路;§8.2晶体管的噪声源;§8.2晶体管的噪声源;§8.3双极型晶体管的噪声;§8.3双极型晶体管的噪声;二极管低频电导：;于是，p-n结二极管总的噪声电流均方值为;§8.3双极型晶体管的噪声;§8.3双极型晶体管的噪声;§8.3双极型晶体管的噪声;*噪声系数与工作条件密切相关;§8.4JFET与MESFET的噪声特性;§8.4JFET与MESFET的噪声特性;①栅结势垒区复合中心发射与俘获载流子，引起栅结耗尽层中电荷的

起伏，导致耗尽层宽度的变化，调制沟道电导，形成漏极噪声电流

栅结势垒区的产生-复合过程的起伏产生两种噪声：

——通过调制耗尽层宽度形成漏极噪声电流：1/f噪声（缺陷产

生复合中心的产生-复合

——直接形成栅极噪声电流：散粒噪声（本征的产生-复合）

②沟道区复合中心、沟道区施主或受主中心以及表面态均可能发射与

俘获载