HFD60N02B深圳恒锐丰科技+N+20V+MOS+TO-252.pdf

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HFD60N02B

N-Ch20VFastSwitchingMOSFETS

Description

TheHFD60N02BisthehighcelldensitytrenchedN-chMOSFETs,whichprovideexcellent

RDSONandgatechargeformostofthesynchronousbuckconverterapplications.

TheHFD60N02BmeettheRoHSandGreenProductrequirement,100%EASguaranteedwith

fullfunctionreliabilityapproved.

Features

100%EASGuaranteedExcellentAdv/ateffectdecline

GreenDeviceAvailableAdvancedhighcelldensityTrenchtechnology

SuperLowGateCharge

ProductSummary

BVDSSRDSONID

20V6.3mΩ60A

TO-252PinConfiguration

16

第页共页深圳市黑锋科技有限公司

HFD60N02B

N-Ch20VFastSwitchingMOSFETS

ElectricalCharacteristics

TJ25°C,unlessotherwisenoted

SymbolParameterTestConditionMin.Typ.Max.Units

OffCharacteristic

VDrain-SourceBreakdownVoltageV0V,I250μA20--V

(BR)DSSGSD

IDSSZeroGateVoltageDrainCurrentVDS20V,VGS0V,--1.0μA

IGSSGatetoBodyLeakageCurrentVDS0V,VGS±12V--±100nA

OnCharacteristics

VGateThresholdVoltageVV,I250μA0.40.7

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