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(2)若能形成圖d中封閉式的磁疇結構,由於其具有封閉磁通的作用,故可以使退磁能降低為零。(3)但由於封閉疇與主磁疇的磁化方向不同,引起的磁致伸縮不同,因而會產生一定的磁晶能和磁彈性能。磁彈性能與磁疇的尺寸有關,尺寸愈大,磁致伸縮所引起的尺寸變化就愈不易補償,因而磁彈性能就愈高。因此封閉磁疇結構還要由更小的封閉疇構成。磁疇壁的能量高於磁疇內的能量,阻礙了磁疇的減小傾向,形成了一個平衡的磁疇結構。4.5.3不均勻物質中的磁疇多晶不同晶粒的磁疇取向不同,材料對外顯示各向同性。缺陷如果存在夾雜物和空洞,此處磁通的連續性被破壞,在其周圍將形成楔形磁疇。4.5.4單疇顆粒與磁泡疇當鐵磁顆粒小到某一尺寸,它形成疇壁的疇壁能大於顆粒的退磁能時,鐵磁顆粒形成單疇顆粒。單疇顆粒沒有磁疇壁。單疇顆粒磁泡疇對於單軸各向異性的薄晶片或薄膜,如果加偏置磁場,使其方向垂直薄晶面並與薄晶片的易磁化軸平行,可以形成小圓柱形磁疇。磁疇的觀察 粉紋法這個方法先把要觀察的樣品表面進行處理,然後敷上一薄層含有鐵磁粉末的懸膠,放在反射顯微鏡下觀察。露在樣品表面上的磁疇分界線上有磁極存在,因而有雜散磁場,懸膠中的鐵磁粉末被吸聚在那裏,顯出磁疇界壁。這樣就可以觀察到磁疇的大小和形狀等。右圖是矽鋼單晶磁疇的顯微相片。 磁光效應法平面偏振光在鐵磁物質表面反射,或在透明的鐵磁物質中透射時,偏振面都會旋轉一個角度。前一種現象稱為克爾效應,後一種現象稱為法拉第效應。這兩種效應都可以用來觀察磁疇。利用克爾效應觀察磁疇的裝置: 由於各碰疇的磁化方向不同,在各磁疇上反射的光線的偏振面的旋轉角也不同。因此各磁疇顯出的明暗程度就有差別。可以轉動檢偏器使磁疇的深淺差別達到最清楚為止。4.6技術磁化和反磁化過程4.6.1技術磁化的機制技術磁化的實質:外磁場把各個磁疇的磁矩方向轉到(或接近)外磁場方向的過程。鐵磁質的基本磁化曲線大體可分為三個階段。(1)可逆遷移;(2)不可逆遷移;(3)旋轉(1)可逆遷移:起始階段,疇壁微小移動,磁化曲線平坦,磁導率(初始磁導率)較小,過程可逆,無磁滯。(2)不可逆遷移:疇壁發生暫態跳躍移動,大量原子磁矩暫態轉向,表現出強烈的磁化,磁化曲線急劇上升,磁導率很高,過程不可逆。疇壁遷移的結果:使得所有原子的磁矩轉向與磁場成銳角的易磁化方向,晶體成單疇。(3)旋轉:由於易磁化軸通常與外場不一致,當磁場繼續增大時,整個晶體單疇磁矩的方向將逐漸轉向外場方向(磁疇旋轉)。由於磁感應強度B與磁化強度M的物理意義不同,其對應的磁化曲線形狀不同。壁移磁化以180o壁為例:旋轉磁化壁移磁化的實質:相鄰磁疇接近疇壁的區域和磁疇內部原子磁矩發生轉動。整個晶體單疇磁矩的方向將逐漸轉向外場方向(磁疇旋轉)。4.6.2影響磁壁移動的因素一般鐵磁體在弱場範圍內的磁化過程是疇壁的位移過程。即接近於外磁場方向的磁疇長大,遠離外磁場方向的磁疇縮小。理想完美的鐵磁晶體,它內部的磁疇結構只由其外形的退磁場作用所決定,在外磁場作用下,只要其內部有效磁場不為零,磁疇壁將被驅動,直到疇結構改組到有效場等於零時才穩定下耒,因此這種理想晶體的起始磁化率應為無限大。實際的鐵磁晶體內總是存在著晶格缺陷、雜貭和某種形式分佈的內應力。結構的不均勻產生對疇壁位移的阻力,使起始磁化率降低為有限數值,而且使疇壁位移過程有可逆和不可逆的區別。(1)鐵磁材料中的夾雜(2)第二相空隙的數量及分佈(3)內應力的起伏大小和分佈(4)磁體磁化產生的退磁能,壁移產生的磁晶各向異性能和磁彈性能等。磁壁移動阻力的來源:技術磁化過程需要外場克服壁阻力做功。磁壁移動過程,就是外場克服阻力,系統的各能量相互競爭,使得系統自由能經過調整,達到最低狀態的過程。在疇壁位移過程中,鐵磁晶體的總自由能(包括外磁場能)將不斷發生變化。主要是當疇壁在不同位置時疇壁能發生變化,磁疇內應力能的變化,以及內部雜貭引起雜散磁場能的變化等。如圖所示,對於180o疇壁位移,在位移方向鐵磁晶體內自由能F(x)的變化曲線。未加磁場時疇壁的平衡位置在F(x)最小值的位置,如圖b中的a點。在a點:能量最低,狀態穩定。當外加磁場時,疇壁向右移動。設位移dx,外磁場所做的功等於自由能F(x)的增加量。在b點,,為最大值。b?c,不穩定的,是不可逆位移過
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