模电第2讲-半导体基础知识.ppt

基本要求：熟练掌握：三极管的结构，电流分配与放大原理，外部条件及特性；掌握：二极管、三极管的伏安特性及主要参数；理解：PN结的单向导电性，三极管的放大作用；了解：PN结的形成；场效应管第二讲半导体基础知识一、本征半导体2、本征半导体的结构二、杂质半导体

1.N型半导体2.P型半导体三、PN结的形成及其单向导电性PN结的形成PN结的单向导电性复习：（1）在本征半导体中加入元素可形成N型半导体，加入元素可形成P型半导体。A.五价B.四价C.三价（2）N型半导体的多子是—，P型半导体的多子是—A.空穴B.正离子C.自由电子（3）PN结加正向电压时，空间电荷区将。A.变窄B.基本不变C.变宽（4）当温度升高时，PN结的反向饱和电流将。A.不变B.增大C.减小四、PN结的电容效应*第一章常用半导体器件1.1半导体基础知识1.2半导体二极管1.3晶体三极管(BJT)1.4场效应管重点：PN结的形成，二极管、三极管的结构、类型

伏安特性，主要参数难点：三极管中载流子运动及电流分配，三个工作

区的划分及物理意义

一、本征半导体二、杂质半导体三、PN结的形成及其单向导电性四、PN结的电容效应导电性介于导体与绝缘体之间的物质称为半导体。无杂质稳定的结构本征半导体是纯净的晶体结构的半导体。1、什么是半导体？什么是本征半导体？导体－－铁、铝、铜等金属元素等低价元素，其最外层电子在外电场作用下很容易产生定向移动，形成电流。绝缘体－－惰性气体、橡胶等，其原子的最外层电子受原子核的束缚力很强，只有在外电场强到一定程度时才可能导电。半导体－－硅（Si）、锗（Ge），均为四价元素，它们原子的最外层电子受原子核的束缚力介于导体与绝缘体之间。+4+4+4+4+4+4+4+4+4价电子共价键当温度T=0K时，半导体不导电，如同绝缘体。+4+4+4+4+4+4+4+4+4自由电子空穴T?3、本征半导体中的两种载流子载流子本征激发—在热激发下产生自由电子和空穴对的过程复合—自由电子与空穴相碰同时消失载流子—运载电荷的粒子一定温度T下，载流子浓度一定当温度T升高，热运动加剧，载流子浓度增大，导电性增强为什么要将半导体变成导电性很差的本征半导体？磷（P）杂质半导体主要靠多数载流子导电。掺入杂质越多，多子浓度越高，导电性越强，实现导电性可控。多数载流子空穴比未加杂质时的数目多了？少了？为什么？正离子SiSiSiSip+多余电子磷原子在常温下即可变为自由电子失去一个电子变为正离子动画硼（B）多数载流子P型半导体主要靠空穴导电，掺入杂质越多，空穴浓度越高，导电性越强，在杂质半导体中，温度变化时，载流子的数目变化吗？少子与多子变化的数目相同吗？少子与多子浓度的变化相同吗？负离子SiSiSiSiB–硼原子接受一个电子变为负离子空穴动画物质因浓度差而产生的运动称为扩散运动。气体、液体、固体均有之。扩散运动P区空穴浓度远高于N区。N区自由电子浓度远高于P区。扩散运动使靠近接触面P区的空穴浓度降低、靠近接触面N区的自由电子浓度降低，形成空间电荷区。因电场作用所产生的运动称为漂移运动。参与扩散运动和漂移运动的载流子数目相同，达到动态平衡，就形成了PN结。漂移运动由于扩散运动使P区与N区的交界面缺少多数载流子，形成内电场，从而阻止扩散运动的进行。内电场使空穴从N区向P区、自由电子从P区向N区运动。多子的扩散运动内电场少子的漂移运动浓度差P型半导体N型半导体内电场越强，漂移运动越强，而漂移使空间电荷区变薄。扩散的结果使空间电荷区变宽。空间电荷区也称PN结扩散和漂移这一对相反的运动最终达到动态平衡，空间电荷区的厚度固定不变。－－－－－