模拟电子技术基础第1章-半导体3.ppt

1.2半导体二极管§1.3双极型晶体管**模拟电子技术基础信息科学与工程学院基础电子教研室二极管的符号：【】内容回顾一、伏安特性UI开启电压:硅管0.5V,锗管0.1V。导通电压降:硅管0.6~0.8V,锗管0.1~0.3V。三、二极管的等效电路二极管正向导通，导通电压为0，反向截止，截止电流为0。理想模型三、二极管的等效电路当二极管两端电压超过导通电压时，认为二极管导通，导通电压为Uon,当二极管两端电压小与导通电压或者为负电压时，认为二极管截止,截止电流为0。当二极管两端的正向压降不能被忽略时：恒压模型三、二极管的等效电路折线模型Q（UDQ,IDQ）△iD△uD三、二极管的等效电路微变等效电路三、二极管的等效电路说明：以上四种等效电路前三种一般用于直流量或低频大幅度交流量的计算；第四种用于小幅度交流量的计算。UO1≈()，UO2＝()，UO3≈()，UO4≈()，UO5≈()，UO6≈()【例4】写出图T1.3所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压UD＝0.7V。1.3V0－1.3V2V1.3V－2V五、稳压二极管及应用1.稳压管的工作原理稳压管的符号2.稳压管的主要参数①稳定电压UZ②稳压电流IZ③额定功耗PZM3.稳压管的稳压条件必须工作在反向击穿状态；流过稳压管的电流在IZ和IZM之间。注意！稳压管正向工作时和二极管的特性完全相同。1.3.1晶体管的结构和类型基区发射区集电区发射结集电结发射极基极集电极becNPN型基区发射区集电区发射结集电结发射极基极集电极bec发射极箭头的方向为电流的方向bPNP集电极基极发射极cePNP型注意：NPN型与PNP型三极管符号的区别NPN型三极管的结构特点:1、发射区的掺杂浓度最高；2、基区很薄且掺杂浓度很低；3、集电结的面积很大。bPNP集电极基极发射极ce1.3.2晶体管的电流放大作用晶体管工作在放大状态的外部条件:共射放大电路发射结:正向偏置晶体管的放大作用:小的基极电流可以控制大的集电极电流集电结:反向偏置。NNP晶体管的电流分配关系共射直流电流放大系数晶体管的电流分配关系共射直流电流放大系数共射交流电流放大系数通常认为：晶体管的电流分配关系IBICIEIBICIE1.3.3晶体管的共射特性曲线UCEIC+-UBEIB+-实验线路mA?AVVRBECEBRC1.输入特性IB(?A)UBE(V)204060800.40.8工作压降：硅管UBE?0.6~0.7V,锗管UBE?0.1~0.3V。死区电压，硅管0.5V，锗管0.1V。UCE增大，特性曲线右移；当UCE1后，曲线基本不变化IC(mA)1234UCE(V)36912IB=020?A40?A60?A80?A100?A此区域中:IB=0,IC=ICEO,UBE死区电压，称为截止区。2.输出特性