电子技术基础(专升本).pdfVIP

1.(单选题)表明晶体管质量优劣的主要参数是()。(本题2.0分)

A.,ICBO,(ICEO)

B.ICM、PCM

C.U(BR)CEO,ICM

答案:A

解析:无

2.(单选题)在单相半波整流电路中,所用整流二极管的数量是()。(本题2.0

分)

A.四只

B.二只

C.一只

答案:C

解析:无

3.(单选题)负反馈所能抑制的干扰和噪声是()(本题2.0分)

A.输入信号所包含的干扰和噪声;

B.反馈环内的干扰和噪声;

C.反馈环外的干扰和噪声;

D.所有干扰和噪声。

答案:B

解析:无

4.(单选题)PN结加适量反向电压时,空间电荷区将()(本题2.0分)

A.变宽

B.变窄

C.不变

D.消失

答案:A

解析:无

5.(单选题)共模抑制比是差分放大电路的一个主要技术指标,它反映放大电路()的能力。(本

题2.0分)

A.放大差模抑制共模

B.输入电阻高

C.输出电阻低

答案:A

解析:无

6.(单选题)放大电路在高频信号作用时放大倍数数值下降的原因是____。()(本题2.0分)

A.耦合电容和旁路电容的存在

B.半导体管极间电容和分布电容的存在。

C.半导体管的非线性特性

D.放大电路的静态工作点不合适

答案:B

解析:无

7.(单选题)场效应管起放大作用时应工作在漏极特性的()(本题2.0分)

A.非饱和区

B.饱和区

C.截止区

D.击穿区

答案:B

解析:无

8.(单选题)集成运放工作在线性放大区,由理想工作条件得出两个重要规律是()。(本题2.0

分)

A.U+=U-=0,i+=i-;

B.U+=U-=0,i+=i-=0;

C.U+=U-,i+=i-=0;

D.U+=U-=0,i+≠i-。

答案:A

解析:无

9.(单选题)基本放大电路中的主要放大对象是()(本题2.0分)

A.直流信号;

B.交流信号;

C.交直流信号均有。

答案:B

解析:无

10.(单选题)运算放大器中,“虚地”的概念只存在于()(本题2.0分)

A.反相比例放大器中

B.同相比例放大器中

C.差动放大器中

D.比较器中

答案:A

解析:无

11.(单选题)若使三极管具有电流放大能力.必须满足的外部条件是()(本题2.0分)

A.发射结正偏、集电结正偏;

B.发射结反偏、集电结反偏;

C.发射结正偏、集电结反偏;

D.发射结反偏、集电结正偏。

答案:C

解析:无

12.(单选题)三极管超过()所示极限参数时.必定被损坏。(本题2.0分)

A.集电极最大允许电流ICM;

B.集—射极间反向击穿电压U(BR)CEO;

C.集电极最大允许耗散功率PCM;

D.管子的电流放大倍数

答案:C

解析:无

13.(单选题)正弦电流经过二极管整流后的波形为()。(本题2.0分)

A.矩形方波;

B.等腰三角波;

C.正弦半波;

D.仍为正弦波。

答案:C

解析:无

14.(单选题)绝缘栅型场效应管的输入电流()。(本题2.0分)

A.较大;

B.较小;

C.为零;

D.无法判断。

答案:C

解析:无

15.(单选题)测得NPN型三极管上各电极对地电位分别为VE=2.1V.VB=2.8V.VC=4.4V.说

明此三极管处在()。(本题2.0分)

A.放大区;

B.饱和区;

C.截止区;

D.反向击穿区。

答案:A

解析:无

16.(单选题)用万用表检测某二极管时.发现其正、反电阻均约等于1KΩ.说明该二极管()。

(本题2.0分)

A.已经击穿;

B.完好状态;

C.内部老化不通;

D.无法判断。

答案:C

解析:无

17.(单选题)单极型半导体器件是()。(本题2.0分)

A.二极管;

B.双极型三极管;

C.场效应管;

D.稳压管。

答案:C

解析:无

18.(单选题)在共射交流放大电路中,负载电阻RL愈大,则电压放大倍数AU()。(本题2.0

分)

A.愈大

B.不变

C.愈小

答案:A

解析:无

19.(单选题)直接耦合放大电路存在两个问题是前后级静态工作点相互影响和(