Si衬底LED芯片制造和封装技术.pdfVIP

Si衬底LED芯片制造和封装技术

引言

1993GaNledLED

年世界上第一只基蓝色问世以来，制造技术的

发展令人瞩目。目前国际上商品化的GaN基LED均是在蓝宝石衬底或

SiC衬底上制造的。但蓝宝石由于硬度高、导电性和导热性差等原因，对

后期器件加工和应用带来很多不便，SiC同样存在硬度高且成本昂贵的

不足之处，而价格相对便宜的si衬底由于有着优良的导热导电性能和成熟

的器件加工工艺等优势因此Si衬底GaN基LED制造技术受到业界的普

遍关注。

目前日本日亚公司垄断了蓝宝石衬底上GaN基LED专利技术，美

国CREE公司垄断了SiC衬底上GaN基LED专利技术。因此，研发其

他衬底上的GaN基LED生产技术成为国际上的一个热点。

1Si衬底LED芯片制造

1.1技术路线

在si衬底上生长GaN，制作LED蓝光芯片。

工艺流程：在si衬底上生长AlN缓冲层一生长n型GaN-生长

InGaN多量子阱发光层-生长P型AlGaN层-生长p型GaN层-键合带

Ag反光层并形成p型欧姆接触电极一剥离衬底并去除缓冲层一制作n型

掺si层的欧姆接触电极一合金―钝化一划片一测试一包装。

1.2主要制造工艺

siGaNLED1

衬底基芯片结构图见图。

粗化表面皿电极

3外延毘金

■属反轴镜

Bi

粘接金麟

9基扳

WIEAu电扱

(a)端視图(b)剖萌图

图1si衬底GaN基LED芯片结构图

si

从结构图中看出，衬底芯片为倒装薄膜结构，从下至上依次为背

(

AusiPGaN

面电极、基板、粘接金属、金属反射镜欧姆电极)外延

层、粗化表面和Au电极。这种结构芯片电流垂直分布，衬底热导率高，

可靠性高；发光层背面为金属反射镜，表面有粗化结构，取光效率高。

1.3关键技术及创新性

用Si作GaN发光二极管衬底，虽然使LED的制造成本大大降低，

也解决