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低压下气体在金属表面的吸附。适用于物理吸附和化学吸附适用于化学吸附适用于物理吸附和化学吸附适用于多层物理吸附;BET属于类型II乙炔sp变成sp2P49每个吸附态的O原子消耗3个H。正八面体空隙与O2-的个数相同,最稳定的是无水的α-Al2O3,它是O2-离子的六方最紧密堆砌体,Al3+离子占据正八面位的2/3。各种变型的Al2O3在1470℃以上熔化,最终都转变为α-Al2O3。正八面体空隙与O2-的个数相同正八面体空隙与O2-的个数相同正八面体空隙与O2-的个数相同正八面体空隙与O2-的个数相同(463)正八面体空隙与O2-的个数相同显然,比表面并不是越大越好,因为孔径越细,内表面的利用率就越低。分子间力分子间力的类型1取向力:极性分子相互靠近时,因分子的固有偶极之间同极相斥异极相吸,使分子在空间按一定取向排列,使体系处于更稳定状态。这种固有的偶极间的作用力为取向力,其实质是静电力。2诱导力极性分子与非极性分子相遇时,极性分子的固有偶极产生的电场作用力使非极性分子电子云变形,且诱导形成偶极子,固有偶极子与诱导偶极子进一步相互作用,使体系稳定。这种作用力为诱导力。3色散力随时产生的分子瞬时偶极间的作用力为色散力。这3种分子间力统称为范德华力。吸附的强弱也可以用摩尔吸附热来比较,即1mol物质由气态转变成化学吸附态所生成的焓变。能降低表面吉布斯函数3-5氧化物表面上的化学吸附1.半导体上氧化物的化学吸附n-型(NegativeType)半导体:例如:2Zn2++2O2-→2Zn+O2 (受热)ZnO受热失去氧,阳离子氧化数降低,直至变成原子态。导电是靠与Zn结合的带负电的电子。p-型(PositiveType)半导体:例如:2Ni2++2O2-+O2→2Ni3++3O2- (受热)NiO受热获得氧,阳离子的氧化数升高,导致晶格中O2-增加,从而产生正离子的缺位,称作正空穴。半导体依靠正空穴传递而导电。3-5氧化物表面上的化学吸附1.半导体上氧化物的化学吸附(1)吸附氧或氧化性气体P-型:电子从氧化物表面转移到吸附质O2上,金属离子氧化数升高,表面形成氧离子覆盖层。N-型:表面组成刚好满足化学计量关系(一般很少如此),不发生化学吸附O2;若不满足化学计量关系且缺O2-(一般如此),有较小程度的吸附,补偿O2-空位并将阳离子再氧化以达到化学计量关系。3-5氧化物表面上的化学吸附1.半导体上氧化物的化学吸附(2)吸附H2,CO等还原性气体P-型、N-型:电子由吸附质向氧化物表面传递,金属离子还原。吸附很强,且多为不可逆性的。对半导体氧化物上的化学吸附研究,尚缺乏像金属化学吸附那样的定量结果。3-5氧化物表面上的化学吸附2.绝缘体氧化物上的化学吸附因它们自身的酸碱度可能差别很大,故它们有的能吸附带酸性的吸附质,如K2O-SiO2-Al2O3能化学吸附CO2;有的能吸附带碱性的吸附质,如γ-Al2O3能化学吸附NH3。绝缘体氧化物为化学计量关系者,如MgO,SiO2,Al2O3等。这类氧化物的阳离子既不能氧化,也不能还原,因此既不能吸附氧,也不能吸附H2和CO。这类氧化物(如SiO2和Al2O3)都会吸附水,发生表面羟基化生成M-OH,可按酸或碱式解离。3-5氧化物表面上的化学吸附3.氧化物表面积的测定单一组分:BET法;多组分:选择性吸附。3-6分子表面化学3-6分子表面化学随着表面技术的发展,一些用肉眼看到的表面好象很平滑,其实不然,它们在原子水平上是不均匀的,存在着各种不同类型的表面位(Sites)。所谓TSK模型,指原子表面上存在着台阶(Terrace)、梯级(Step)和拐折(Kink)模型。在表面上存在的拐折、梯级、空位、附加原子等表面位,都十分活泼。它们对表面上原子的迁移,对参与化学反应,都起着重要的作用。从催化的角度讲,它们都是活性较高的部位。实验说明,单晶催化剂的催化活性和选择性随晶面而异。本章要点:多相催化反应的一般步骤?物理过程和化学过程分别是哪几步?什么是容积扩散与努森(Knudsen)扩散?物理吸附与化学吸附各有什么特点?什么是吸附等温式?如何推导简单的Langmiur吸附等温式?重要假设是什么?CO分子的化学吸附都有哪几种可能的吸附态?为什么会存在多种吸附态?ZnO和NiO在受热分别会变成什么类型的半导体?为什么?什么类型的半导体易吸附氧和氧化性气体?bcc体心立方、fcc面心立方《贝莎.伦琴夫人的手》体心立方密堆积(bcp)是8。正八面体空隙与
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