我国区熔硅单晶产品发展研究现状分析.doc

我国区熔硅单晶产品发展研究现状分析

我国区熔硅单晶产品发展研究现状分析

我国区熔硅单晶产品发展研究现状分析

国内外区熔硅单晶生产技术工艺进展路径及商业应用前景询问报告

区熔硅单晶也称区熔硅单晶，是电子信息材料中最基础性材料，属半导体材料类。区熔硅单晶是电力电子器件的关键材料。区熔硅单晶是较一般电子级单晶硅具有更高纯度和更高电阻率。区熔硅单晶采纳的多晶硅材料成本大大高于直拉单晶硅所用材料，而其产品销售价格也数倍于直拉单晶。半导体单晶硅材料行业的高速进展，有利于分立器件行业的进展；如果上游行业处于低谷，而分立器件行业没有实行相应的应对策略，则分立器件行业亦将进入低谷。

中国市场来说，区熔硅单晶的生产商只有几家。从全球来看，该趋势全球并购也格外明显，我们认为，将来进一步的整合还会连续。目前全球区熔硅单晶产业集中度已经较高，主要为日本Shin-EtsuHandotai、小松公司Komatsu（已被Sumco收购），丹麦TOPSIL、德国Siltronic(由WackerChemieAG控股)、中环股份（环欧）等五家公司。

目录

TOC\o1-3\n\u第一章中国区熔硅单晶产品进展现状分析

第一节区熔硅单晶行业进展现状

一、2010年国内区熔硅单晶行业进展概况

二、国内区熔硅单晶行业企业竞争格局

其次节区熔硅单晶行业产业政策

一、产业政策

二、技术壁垒

三、人民币升值影响分析

第三节区熔硅单晶产品供求格局

一、2008-2010年区熔硅单晶市场产品总产量统计

二、2008-2009年区熔硅单晶市场细分产品产量统计

三、2005-2010年区熔硅单晶市场产品市场容量统计

四、2010-2012年我国区熔硅单晶市场供求猜测

第四节区熔硅单晶行业产业链构成模型分析

一、区熔硅单晶行业产业链构成

二、区熔硅单晶行业产业链模型分析

其次章2008-2009年区熔硅单晶产品生产技术市场调查

第一节区熔硅单晶产品构成

一、区熔硅单晶行业产品分类标准

二、区熔硅单晶行业主要产品市场份额

其次节国内区熔硅单晶产品生产技术应用现状

第三节国外区熔硅单晶产品生产技术应用现状

第四节我国区熔硅单晶产品技术应用成熟度分析

第五节区熔硅单晶产品生产技术与应用市场关系

第三章2008-2009年区熔硅单晶当前生产工艺革新路径

第一节区熔硅单晶生产工艺介绍

其次节区熔硅单晶生产工艺进展历程

第三节国外区熔硅单晶生产工艺进展阶段比较

第四节我国区熔硅单晶生产工艺革新路径

第五节国内区熔硅单晶生产设备介绍

第六节国内区熔硅单晶生产设备应用现状

第七节我国区熔硅单晶技术研发现状

第四章国内外典型区熔硅单晶企业生产技术工艺应用调查

第一节中环股份

一、企业基本情况

二、企业技术进展历程

三、企业技术实力分析

其次节企业生产技术工艺应用情况

一、企业区熔硅单晶产品生产技术选择

二、企业区熔硅单晶工艺设备配置

三、企业区熔硅单晶生产技术研发与革新状况

第五章国内外区熔硅单晶产品技术工艺研发动态

第一节国内区熔硅单晶产品技术工艺研发动态

其次节国外区熔硅单晶产品技术工艺研发动态

第三节2011-2012年区熔硅单晶技术工艺研发趋势分析

第四节国内外企业竞争力对比分析

1.研发竞争力分析

2.生产竞争力分析

3.销售竞争力分析

4.管理竞争力分析

第五节国外主要代表性企业讨论

一、德国瓦克（WackerChemieAG）

二、日本信越（Shin-EtsuHandotai）

三、日本小松

四、丹麦Topsil

第六节区熔硅单晶产品现行技术同类替代技术进展

第六章2009-2012年区熔硅单晶产品技术工艺应用前景研判

第一节国外区熔硅单晶产品技术工艺应用前景

其次节我国区熔硅单晶技术工艺应用前景

第三节我国区熔硅单晶技术工艺进展对行业项目投资的影响

第七章我国区熔硅单晶行业典型投资项目分析

第一节项目总投资估算

一、固定资产建设投资估算

二、流淌资金估算

三、项目总投资

其次节资金筹措及投资计划

一、资金来源与出资方式

二、项目筹资方案

三、投资使用计划

四、借款偿还计划

第三节项目财务评价

一、计算依据及相关说明

二、总成本费用估算

三、销售收入、销售税金及附加和增值税估算

四、损益及利润及安排

第四节盈利能力分析

一、投资利润率，投资利税率

二、财务内部收益率、财务净现值、投资回收期

三、项目财务现金流量表

四、项目资本金财务现金流量表

五、盈亏平衡分析

六、敏感性分析

第五节效益分析

一、经济效益

二、社会效益

第八章2010-2012年区熔硅单晶市场行情

第一节市场状况分析及猜测（2010-2012年）

其次节供需状况分析及猜测（2010-2012年）

第三