交直流电流探头原理.pdfVIP

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磁电传感器

.

磁电效应

将材质均匀的金属或半导体通电并置于磁场中,所产

生的各种变化称为电磁效应。

在金属或半导体薄片中通以控制电流I,并在薄片的垂

直方向上施加磁感应强度为B的磁场,那么在垂直于电

流和磁场的方向上会产生电动势〔霍尔电势〕。这种

现象称为霍尔效应。

假设给通有电流的金属或半导体薄片加以与电流方向

垂直的外磁场,不但产生霍尔效应,而且试件的电阻

值会变大。即产生磁阻效应。

.

霍尔效应

•假设将通有电流的导体UH

置于磁场B之中,磁场B

I

〔沿z轴〕垂直于电流IHH

〔沿x轴〕的方向,如下

图,那么在导体中垂直

于B和IH的方向上出现一

个横向电位差UH。

•1

霍尔效应

.

霍尔效应的机理〔一〕

将一块厚度为d、宽度为b、长度为L的半导体薄片〔霍尔片〕放置在磁

B中,磁B沿Z轴正方向。当电流沿X轴正方向通过半导体时,假设薄片

中的载流子〔设为自由电子〕以平均速度v沿X轴负方向作定向运动,所

受的洛伦兹力为fB=ev*B.

在fB的作用下自由电子受力偏转,结果向板面“I〞积聚,同时在板面

“Ⅱ〞上出现同数量的正电荷。这样就形成一个沿Y轴负方向上的横向电

场,使自由电子在受沿Y轴负方向上的洛伦兹力fB的同时,也受一个沿Y

轴正方向的电场力fE。设E为电场强度,UH为霍尔片I、Ⅱ面之间的电位

差〔即霍尔电压〕,那么

fE将阻碍电荷的积聚,最后达稳定状态时有

.

霍尔效应的机理〔二〕

设载流子浓度为n,单位时间内体积为v·d·b里的载流子全部通过横

截面,那么电流强度IH与载流子平均速度v的关系为

将代入得

式中即为霍尔系数RH。

考虑霍尔片厚度d的影响,引进一个重要参数KH,,

那么式可写为

KH称为霍尔元件的灵敏度。

.

霍尔电压的特性

1.在一定的工作电流IH下,霍尔电压UH与外磁场磁感应

强度B成正比。这就是霍尔效应检测磁场的原理。

2.在一定的外磁场中,霍尔电压UH与通过霍尔片的电流

强度IH〔工作电流〕成正比。这就霍尔效应检测电流

的原理。

.

霍尔效应的副效应(一〕

在测量霍尔电压时,会伴随产生一些副效应,影响到测量的精确度,

这些副效应是:

1.不等位效应

由于制造工艺技术的限制,霍尔元件的电位极不可能接在同

一等位面上,因此,当电流IH流过霍尔元件时,即使不加磁场,

两电极间也会产生一电位差,称不等位电位差U。显然,U0只与电

流IC有关,而与磁场无关。

2.埃廷豪森效应〔Etinghauseneffect〕

由于霍尔片内部的载流子速度服从统计分布,有快有慢,由

于它们在磁场中受的洛伦兹力不同,那么轨道偏转也不相同。动

能大的载流子趋向霍尔片的一侧,

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