材料科学软件：VASP二次开发_DFT理论基础与VASP实现.docx

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DFT理论基础与VASP实现

密度泛函理论（DFT）概述

密度泛函理论（DensityFunctionalTheory,DFT）是一种quantummechanical模型，用于研究多电子体系的电子结构。DFT的核心思想是通过电子密度来描述多电子体系的基态性质，而不是通过波函数。这一理论的奠基性工作是由Hohenberg和Kohn在1964年提出的，他们证明了基态电子密度唯一确定了多电子体系的基态能量。随后，Kohn和Sham进一步发展了这一理论，提出了Kohn-Sham方程，使得DFT的实际应用成为可能。

DFT的基本原理可以总结为以下几点：

Hohenberg-Kohn定理：基态电子密度(n())唯一确定了多电子体系的基态能量(E)。

Kohn-Sham方程：通过引入一组非相互作用的电子体系，将复杂的多电子问题转化为单电子问题，进而求解电子密度。

交换关联泛函：用于描述电子之间的交换和关联效应，是DFT中的关键部分。

DFT的基本方程

DFT的基本方程是Kohn-Sham方程，其形式如下：

[(-^2+V_{}())_i()=_i_i()]

其中：-(_i())是单电子波函数。-(i)是单电子能级。-(V{}())是有效势能，包括离子势、哈特里势和交换关联势。

有效势能(V_{}())可以表示为：

[V_{}()=V_{}()+V_{}()+V_{}()]

(V_{}())是离子势。

(V_{}())是哈特里势，表示电子之间的经典库仑相互作用。

(V_{}())是交换关联势，描述电子之间的量子交换和关联效应。

VASP中的DFT实现

ViennaAb-initioSimulationPackage(VASP)是一个广泛使用的材料科学软件，用于进行第一性原理计算。VASP基于DFT理论，通过求解Kohn-Sham方程来计算材料的电子结构和性质。VASP的主要特点包括：

高效的并行计算：支持多核和多节点并行计算，适用于大规模体系。

多种交换关联泛函：支持LDA、GGA、Meta-GGA等多种泛函。

丰富的输出信息：提供详细的电子结构、能带结构、态密度等信息。

VASP的基本输入文件

在VASP中，进行计算需要准备几个基本的输入文件：

INCAR：控制计算的参数文件，包括电子自洽迭代次数、交换关联泛函类型等。

POSCAR：描述体系的几何结构，包括晶格参数和原子位置。

KPOINTS：定义k点的采样网格，用于计算布里渊区。

POTCAR：包含赝势信息的文件，用于描述电子-离子相互作用。

INCAR文件

INCAR文件用于设置计算的各种参数。以下是一个典型的INCAR文件示例：

#INCAR文件示例

SYSTEM=Si#系统名称

ISTART=0#从头计算

ICHARG=2#自洽计算

ENCUT=280.0#平面波截断能(eV)

ISMEAR=0#电子占据的平滑方法

SIGMA=0.05#平滑宽度(eV)

PREC=Normal#计算精度

NELM=60#电子自洽迭代的最大次数

LREAL=Auto#实空间投影

LWAVE=.FALSE.#不保存波函数

LCHARG=.FALSE.#不保存电子密度

POSCAR文件

POSCAR文件描述了体系的几何结构。以下是一个Si晶体的POSCAR文件示例：

#POSCAR文件示例

Si

1.0

0.50.50.0

0.00.50.5

0.50.00.5

1

Direct

0.00.00.0

KPOINTS文件

KPOINTS文件定义了k点的采样网格。以下是一个12x12x12k点网格的KPOINTS文件示例：

#KPOINTS文件示例

Automatick-pointgeneration

0

Gamma

121212

000

POTCAR文件

POTCAR文件包含赝势信息，通常通过VASP提供的工具生成。以下是一个Si的POTCAR文件示例：

#POTCAR文件示例

#生成命令：vaspkit-task301

#Si的赝势信息

VASP计算流程

准备输入文件：根据体系的性质和计算需求，准备INCAR、POSCAR、KPOINTS和POTCAR文件。

运行VASP：通过命令行运行VASP程序，通常使用mpirun