离子注入(共74张课件).ppt

第四章离子注入;本章内容;概述;离子注入技术的特点;离子注入过程是一个非平衡过程，高能离子进入靶后不断与原子核及其核外电子碰撞，逐步损失能量，最后停下来。停下来的位置是随机的，大部分不在晶格上，因而没有电活性。;1.1离子的碰撞;而吸收离子能量的电子，将会：

——使原子的外层电子脱离靶材，产生二次电子；

——使原子中的电子能级发生跃迁，回落时，释放能量，放出光子而发光。

;2）离子与靶原子核碰撞：可看作弹性碰撞。因两者的质量往往是同一个量级，一次碰撞可以损失较多能量，且可能发生大角度散射。

定义核阻止：

当能量较低时，ESn

当能量较高时，ESn;;离子注入的能量损失机制;-dE/dx：能量损失梯度

E：注入离子在其运动路程上任一点x处的能量

Sn(E)：核阻止本领

Se(E)：电子阻止本领

C:靶原子密度～5?1022cm-3forSi;低能区;射程R:离子从进入靶开始到停止点所通

过的总路程叫射程。;射程、投影射程及标准偏差;1.3注入离子的分布;;注：注入剂量和杂质浓度的关系;;200kev注入离子在

靶中的高斯分布图;根据离子注入条件计算杂质浓度的分布;根据公式，可求解;2.离子注入设备系统;2.离子注入设备系统;2.1离子源—产生注入离子的发生器;离子分离器（目的：把离子源弧光反应室当中产生的杂质离子分离出来。）;离子源和吸极交互作用装配图;2.2质量分析器;分析磁体;;;质量分析器及离子源在注入机中的相对位置;2.3加速器;Figure17.15

;;2.4电子簇射器;电子簇射器;2.5终端台：控制离子束扫描和计量;法拉第杯电流测量;离子注入机示意图;工艺控制参数;注入机分类;;〈100〉晶向;111;沟道效应:在单晶靶中，当离子速度方向平行于主晶轴时，部分离子可能无阻挡地行进很长距离，造成较深的杂质分布，形成通道。;通道效应的克服办法;;;3.2实际入射离子分布问题——横向分布;注入离子的横向分布对于自对准源漏注入工艺是一个基本限制因素;35keVAs注入;4.注入损伤与退火;注入损伤的分类：

※一次缺陷：注入过程引入的空位和填隙原子等点缺陷

※二次缺陷：点缺陷重新组合形成扩展缺陷，如双空位、位错环等

退火工艺：

——在N2中进行，时间一般在30~60分钟

——退火温度一般要求在850~1000℃;损伤退火的目的;硼的退火效应;退火方式及快速热处理技术

;RTP特点;浓度（个数/体积）：特定区

离子注入系统的三大组成部分:

它是Linhard、Scharff和Schiott三人首先确立的。

解决方法：再注入电子，使之与正电荷中和。

其中：V为减速电极后电压（伏特），nq为离子的总电荷数，B是磁场强度（特）。

LSS理论：有很多科学家对于离子注入后的杂质分布做了深入的研究，其中最有名的也是最成功的是LSS理论。

（2）降低注入离子能量

最常用的有静电四极透镜和磁四极透镜。

和电子阻止(Se(E))所损失的能量，总能量

Sn(E)：核阻止本领

——还可以继续碰撞另外一个原子核，使一系列核离开晶格位置，造成晶体损伤。

目的：抑制MOS晶体管的穿通电流，减小器件的短沟效应----因此要求减小CMOS源/漏结的结深

窗口边缘处浓度为同等深度窗口中心部位浓度的1/2

受表面固溶度限制掺杂浓度过高、过低都无法实现

E：注入离子在其运动路程上任一点x处的能量

没有偏转的中性束粒子继续向前;注入方法;典型离子注入参数;5离子注入的其它应用

5.1浅结的形成;5.2自对准金属栅结构

;硅衬底背面损伤形成吸杂区

BacksideDamageLayerFormationforGettering

形成SOI结构Silicon-On-Insulator

UsingOxygenorHydrogenImplantation

氧注入

SOI片的制作，可采用Si中用

离子注入O+工艺，通过退火获

得SiO2层，这种工艺称为

SIMOX技术。;?

;本章小结;本章内容;离子注入的能量损失机制;-dE/dx：能量损失梯度

E：注入离子在其运动路程上任一点x处的能量

Sn(E)：核阻止本领

Se(E)：电子阻止本领

C:靶原子密度～5?1022cm-3forSi;;;111;35keVAs注入