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LED;LEDlights;LED历史;白光LED;LED照明新光源;LED结构和基本原理; 2.LED的基本工作原理
LED是一种直接注入电流的发光器件,是半导体晶体内部受激电子从高能级回复到低能级时,发射出光子的结果,这就是通常所说的自发发射跃迁。当LED的PN结加上正向偏压,注入的少数载流子和多数载流子(电子和空穴)复合而发光。值得注意的是,对于大量处于高能级的粒子各自分别自发发射一列一列角频率为ν=Eg/h的光波,但各列光波之间没有固定的相位关系,可以有不同的偏振方向,并且每个粒子所发射的光沿所有可能的方向传播,这个过程称为自发发射。其发射波长可用下式来表示:
λ(μm)=1.2396/Eg(eV)
简单的说: 就是电流从LED正极流到LED负极,LED就会发光
光的强弱与电流有关。
; (2)正向工作区:电流IF与外加电压呈指数关系IF=IS(eqVF/KT–1
IS为反向饱和电流。
V>0时,V>VF的正??工作区IF随VF指数上升IF=ISeqVF/KT
(3)反向死区:V<0时pn结加反偏压
V=-VR时,反向漏电流IR(V=-5V)时,GaP为0V,GaN为10uA。
(4)反向击穿区V<-VR,VR称为反向击穿电压;VR电压对应IR为反向漏电流。当反向偏压一直增加使V<-VR时,则出现IR突然增加而出现击穿现象。由于所用化合物材料种类不同,各种LED的反向击穿电压VR也不同。; 4.响应时间
响应时间表征某一显示器跟踪外部信息变化的快慢。现有几种显示LCD(液晶显示)约10-3~10-5S,CRT、PDP、LED都达到10-6~10-7S(us级)。
①响应时间从使用角度来看,就是LED点亮与熄灭所延迟的时间,即图中tr、tf。图中t0值很小,可忽略。
②响应时间主要取决于载流子寿命、器件的结电容及电路阻抗。
LED的点亮时间——上升时间tr是指接通电源使发光亮度达到正常的10%开始,一直到发光亮度达到正常值的90%所经历的时间。
LED熄灭时间——下降时间tf是指正常发光减弱至原来的10%所经历的时间。;LED光学特性; 由图2可以看出,当器件温度升高时,光谱曲线随之向右移动,从峰值波长的变化可以求出LED的波长温度系数。; 2.发光法向光强及其角分布Iθ
a.发光强度(法向光强)是表征发光器件发光强弱的重要性能。LED大量应用要求是圆柱、圆球封装,由于凸透镜的作用,故都具有很强指向性:位于法向方向光强最大,其与水平面交角为90°。当偏离正法向不同θ角度,光强也随之变化。发光强度随着不同封装形状而强度依赖角方向。
b.发光强度的角分布Iθ是描述LED发光在空间各个方向上光强分布。它主要取决于封装的工艺(包括支架、模粒头、环氧树脂中添加散射剂与否); ⑴为获得高指向性的角分布(如图1)
①LED管芯位置离模粒头远些;
②使用圆锥状(子弹头)的模粒头;
③封装的环氧树脂中勿加散射剂。
采取上述措施可使LEDθ1/2=6°左右,大大提高了指向性。
? ⑵当前几种常用封装的散射角(2θ1/2角)
圆形LED:5°、10°、30°、45° 贴片LED:60°; 3.发光峰值波长及其光谱分布
LED发光强度或光功率输出随着波长变化而不同,绘成一条分布曲线
——光谱分布曲线。当此曲线确定之后,器件的有关主波长、纯度等相关色度学参数亦随之而定。
;光通量与光强;发光效率和视觉灵敏度; 品质优良的LED要求向外辐射的光能量大,向外发出的光尽可能多,即外部效率要高。事实上,LED向外发光仅是内部发光的一部分,总的发光效率应为η=ηiηcηe,式中ηi向为p、n结区少子注入效率,ηc为在势垒区少子与多子复合效率,ηe为外部出光(光取出效率)效率。
;发光亮度; 如果照明灯具发光强度在空间的分布是不对称的,例如长条形的荧光灯具,则需要用若干测光平面的光强度分布曲线来说明空间光分布。取同灯具长轴相垂直的通过灯具中心下垂线的平面为C0平面,与C0平面垂直且通过灯具中心的下垂线的平面为C90平面。至少要用C0、C90两个平面的光强分布说明非对称灯具的空间配光。;配光曲线;LED寿命; 将LED封装在不会随时间劣化的材料,在结构上强化LED的散热能力,通过恒流电路来控制LED的自加热循环,可以比较好的解决LED劣化的问题。即使是传统的光源,
例如:白炽灯、
卤素灯、荧光灯
和金属卤化物灯,
都会在他们的寿
命期间之出现衰
减。高功率的
LED有非常低的
光输出劣化,光
的吸收和散热已
使得高功率LED
改善了发光功效,
并提高了照度的
维持度。;热学特性;色温; 暖色营
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