IGBT模块：技术、驱动和应用课件：质量与可靠性.ppt

型式试验和常规试验标准工业级IGBT模块质量测试项目IGBTModules–Technologies,DriverandApplication*型式试验和常规试验失效细节和相应测试的关系IGBTModules–Technologies,DriverandApplication*目的：在最大工作结温时考察模块阻断80%~90%的标称电压的特性。测试时间1000h。方法：测量漏电流ICES型式试验和常规试验HTRB测试IGTBModules–Technologies,DriverandApplication*HTGS测试方法：测量栅极电流，测试时间1000h焦点：IGBT的栅极氧化层型式试验和常规试验IGBTModules–Technologies,DriverandApplicationH3TRB测试：在给定温度和湿度下，测试电压最高80V时，考察模块阻断电压的特性。方法：测量漏电流ICES，时间1000h焦点：IGBT的栅极钝化层*TST测试方法：在两个不同温度系统中交替存储，并定义了循环次数焦点：IGBT模块的封装和基板与DCB间的连接型式试验和常规试验IGBTModules–Technologies,DriverandApplicationTC测试标准：热阻Rth(jc)焦点：芯片和DCB之间的连接（芯片焊接层）以及DCB和底板的连接（系统焊接层）*TST测试和TC测试主要是考察不同材料连接的可靠性连接的两种材料的热膨胀系数相差越大，连接点在受热或冷却过程中所受的压力就越大。因此，要用CTE相近的材料连接以降低焊层分离的可能性。型式试验和常规试验IGBTModules–Technologies,DriverandApplicationIGBT模块中不同材料的膨胀系数*由铜基板和Al2O3陶瓷组成的标准IGBT模块的TC测试示例型式试验和常规试验IGBTModules–Technologies,DriverandApplication*铜基板模块的TC曲线可以利用该曲线计算模块的大概寿命型式试验和常规试验IGBTModules–Technologies,DriverandApplication*PC测试通过施加负载电流，从而加热半导体。然后关闭电源使得系统迅速冷却，并满足一定数量循环周次焦点： 连接芯片和DCB的绑定线型式试验和常规试验IGBTModules–Technologies,DriverandApplication绑定线断裂绑定线从芯片的金属覆层上脱落失效机理*功率半导体的循环周次能力与开通时间ton密切相关型式试验和常规试验IGBTModules–Technologies,DriverandApplicationPC测试曲线：估算芯片寿命*最大结温为125℃典型的循环周期模块自加热外部冷却PC测试条件：基于占空比的IGBTPC周次测试当IGBT工作时，由于模块内每层材料的热阻Rth不同，使得模块内部的温度梯度分布不同。提高负载周次能力的措施IGBTModules–Technologies,DriverandApplication*DCB：系统焊层的分离，总是从DCB的角落开始。避免在DCB的四角产生直角可以提高系统焊接层的负载周次能力插入凹纹：在DCB的覆铜层边缘引入特定的压痕来防止覆铜层的脱落，从而提高自身的负载周次能力。提高负载周次能力的措施IGBTModules–Technologies,DriverandApplicationCTE值匹配在IGBT模块的开发过程中，保持组合材料之间的CTE值差异越低越好*提高负载周次能力的措施IGBTModules–Technologies,DriverandApplication低温连接（LTJ）内部各层的结构及连接材料A和B的结构*作压力40MPa持续时间60秒工作温度220℃工艺参数：采用焊接技术和低温连接技术两种模块的负载周次测试结果提高负载周次能力的措施IGBTModules–Technologies,DriverandApplication低温连接*方法：焊料与被焊接的金属表面反应形成合金相（承受更高的温度）材料：锡-银和锡-金合金目的：增加实际工作过程中