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有源箝位和选择性有源箝位并不适合限制一般的开关过压。频繁地、长期地使用有源箝位会使元件负荷过载,这也会明显地增加IGBT的开关损耗。保护措施:有源箝位选择性有源箝位IGBTModules–Technologies,DriverandApplication*动态电压上升控制(DVRC)第一代2.4kA/1.7kVTrench-FSIGBT关断阶段的振荡保护措施:DVRCIGBTModules–Technologies,DriverandApplication*N沟道推挽驱动器是成本和性能的折衷方案N沟道推挽驱动级BJT和MOSFET组成的N沟道推挽驱动器T1和T2都需要正向控制信号导通。不用考虑电平转换器的成本,但是N沟道MOSFET的优势也将不存在。N沟道推挽驱动器IGBTModules–Technologies,DriverandApplication*IGBT栅极驱动器1)为了能快速达到IGBT阀值电压,直接给栅极增压。2)当增大栅极-发射极电压,门电路导通,IGBT栅极电流相应地增加。有辅助升压电路的IGBT栅极升压IGBT栅极升压/加强关断boost信号!开始开通IGBT时打开Boost信号!降低开通损耗!IGBTModules–Technologies,DriverandApplication*IGBT栅极驱动器栅极驱动器的设计不仅要关注IGBT静态和动态特性,也需要注意相应续流二极管的特性。栅极驱动器的设计IGBTModules–Technologies,DriverandApplication*IGBT栅极驱动器栅极电压应该是由栅极驱动单元提供的,如大多数拓扑所要求的该电源应该是隔离的。下面是工业和电力牵引中相关的标准。EN50178,电力系统中的电子设备。EN50124-1,轨道应用-绝缘配合。IEC60077-1,车辆电子设备。IEC60664-1,低压系统中设备的绝缘配合。UL508c,功率变换设备。UL840,电气设备的绝缘配合,包括电气间隙距离和爬电距离。驱动器电源IGBTModules–Technologies,DriverandApplication*要求:先导通半桥底部的IGBT自举电容C1的容量必须足够大自举电容器的电压不能低于最小值用低阻抗的电阻来限制电流二极管的封转必须保证足够大的电气间隙和爬电距离。必须考虑驱动器内部电压降及二极管的压降。对于自举电容器,应该选用低ESR和ESL值的电容器。必须注意IGBT的寄生导通。自举电路IGBTModules–Technologies,DriverandApplication*驱动器电源驱动器所需要的功率(无CG):IGBT开通时栅极电荷的测量DC/DC变换器一些厂商的IGBT模块只给出了栅极电压为15V的QG值DC/DC功率:IGBTModules–Technologies,DriverandApplication*驱动器电源反激式转换器的IGBT栅极驱动器DC/DC变换器外加CG:DC/DC总功率:IGBTModules–Technologies,DriverandApplication*驱动器电源反激变换器:输出正负电压驱动器电源反激变换器IGBTModules–Technologies,DriverandApplication*推挽变换器:多个次级绕组,为多个IGBT驱动提供隔离电源。采用环形磁芯的推挽变换器驱动器电源推挽变换器IGBTModules–Technologies,DriverandApplication*半桥推挽变换器:变压器结构较简单防止晶体管之间的直通采用环形磁芯的半桥推挽变换器驱动器电源半桥推挽变换器IGBTModules–Technologies,DriverandApplication*如果驱动器栅极输出电压或DC/DC转换器低于某一阈值时,该驱动器关闭输出。驱动器UVLO检测通常具有迟滞性以防止输出级的突然切换。一旦达到阈值的下限,就被关闭。直到阈值的上限,驱动器输出级切换回工作状态。IGBT的输出特性(300A/1.2KVIGBT)驱动器电源欠压闭锁(UVLO)欠压闭锁(UVLO)迟滞特性IGBTModules–Technologies,DriverandApplication*
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