IGBT模块：技术、驱动和应用课件：实际应用中的开关特性.ppt

IGBTModules–Technologies,DriverandApplication简介实际应用中，IGBT及其二极管的开关特性与数据手册描述的特性会存在一定的差异。所以，需要遵守一定的规则以降低功率器件不必要的应力，保护其不被损坏。*栅—射极UGE高于阈值电压，IGBT开通UGE越高，集电极电流IC就越大，同时饱和压降UGEsat越低饱和压降影响通态损耗高栅—射极电压在短路时导致大短路电流因此，在应用是需要在通态损耗和故障时的最大短路电流之间折中IGBT的控制电压IGBTModules–Technologies,DriverandApplication正电压控制数据手册中其典型值为15V，一般不应该超过20V，否则短路时可能产生危险的大电流。*IGBT的控制电压所需的驱动功率低驱动IC的限制产生栅极负电压的同时节约电源功率IGBTModules–Technologies,DriverandApplication负电压控制或0V关断数据手册中的典型值值为-15V；实际情况中关断电压可选-15～0V；应用场合常常选用-10V～-5V。*密勒电容效应导致寄生开通，产生的原因在于集电极和发射极之间的电压变化率duCE/dt发射极的杂散电感也会引起寄生开通，产生的原因在于负载电流的变化率diL/dtIGBTModules–Technologies,DriverandApplication小功率电力电子装置常用0V关断，但是会产生寄生开通的问题，所以需要折中考虑成本和寄生开通问题。寄生开通：指被关断的IGBT再次短时间开通的过程。IGBT的控制电压导致IGBT误开通的原因：*图a)有两个明显的集电极峰值电流。第一个是二极管的反向恢复电流造成的第二个是VT2的瞬时开通导致的IGBTModules–Technologies,DriverandApplicationUGE分别为0V和-9V关断时的寄生开通的对比实验IGBT的控制电压a)开通VT1b)开通VT1100ns/DIV解决措施：负电压关断寄生开通*IGBT的控制电压注意：0~-15V关断电压也会影响IGBT开关时间IGBTModules–Technologies,DriverandApplicationIGBT开关特性与门极控制电压UGE之间的关系（1.2kVIGBT）寄生开通500ns/DIV*驱动器的控制电压寄生开通：密勒电容IGBTModules–Technologies,DriverandApplication*IGBT的控制电压?IGBTModules–Technologies,DriverandApplication?*最小开通时间IGBTModules–Technologies,DriverandApplication模块在不同负载电流和开通时间的电压过冲Trench-FSIGBT1.2kV/450A1.7kV/450A开通时间越短导致电压过冲越大小的开通时间导致振荡*最小开通时间450A/1.2kVTrench-FSIGBT模块IGBTModules–Technologies,DriverandApplication?振荡*死区时间?关断延迟时间td(off)开通延迟时间td(on)下降时间tf驱动信号的传输延迟时间死区时间计算：IGBTModules–Technologies,DriverandApplicationIGBT驱动器*死区时间根据数据手册计算最小死区时间tDT的示例IGBTModules–Technologies,DriverandApplication*开关速度√开通速度只受续流二极管换流的限制(SiC续流二极管除外)√关断过程的限制因素是IGBT的阻断能力（电压等级）IGBTModules–Technologies,DriverandApplication*开关速度可以计算关断时的最大电流变化率：分别考虑额定电流和过载电流，理论关断时间为：且IGBTModules–Technologies,DriverandApplication??????*短路关断SC1短路，IGBT开通前已经发生短路SC2短路，IGBT开通