多晶硅工艺流程.pdfVIP

多晶硅工艺流程简述

〔改进西门子法及氢化〕

氢气制备与净化工序

在电解槽内经电解脱盐水制得氢气。电解制得的氢气经过冷

却、别离液体后，进入除氧器，在催化剂的作用下，氢气中的微量氧

气与氢气反响生成水而被除去。除氧后的氢气通过一组吸附枯燥器而

被枯燥。净化枯燥后的氢气送入氢气贮罐，然后送往氯化氢合成、三

氯氢硅氢复原、四氯化硅氢化工序。

电解制得的氧气经冷却、别离液体后，送入氧气贮罐。出氧气

贮罐的氧气送去装瓶。

气液别离器排放废吸附剂、氢气脱氧器有废脱氧催化剂排放、枯

燥器有废吸附剂排放，均供货商回收再利用。

氯化氢合成工序

从氢气制备与净化工序来的氢气和从合成气干法别离工序返

回的循环氢气分别进入本工序氢气缓冲罐并在罐内混合。出氢气缓冲

罐的氢气引入氯化氢合成炉底部的燃烧枪。从液氯汽化工序来的氯气

经氯气缓冲罐，也引入氯化氢合成炉的底部的燃烧枪。氢气与氯气的

混合气体在燃烧枪出口被点燃，经燃烧反响生成氯化氢气体。出合成

炉的氯化氢气体流经空气冷却器、水冷却器、深冷却器、雾沫别离器

后，被送往三氯氢硅合成工序。

为保证平安，本装置设置有一套主要由两台氯化氢降膜吸收器

和两套盐酸循环槽、盐酸循环泵组成的氯化氢气体吸收系统，可用水

吸收因装置负荷调整或紧急泄放而排出的氯化氢气体。该系统保持连

续运转，可随时接收并吸收装置排出的氯化氢气体。

为保证平安，本工序设置一套主要由废气处理塔、碱液循环槽、

碱液循环泵和碱液循环冷却器组成的含氯废气处理系统。必要时，氯

气缓冲罐及管道内的氯气可以送入废气处理塔内，用氢氧化钠水溶液

洗涤除去。该废气处理系统保持连续运转，以保证可以随时接收并处

理含氯气体。

三氯氢硅合成工序

原料硅粉经吊运，通过硅粉下料斗而被卸入硅粉接收料斗。硅

粉从接收料斗放入下方的中间料斗，经用热氯化氢气置换料斗内的气

体并升压至与下方料斗压力平衡后，硅粉被放入下方的硅粉供给料

斗。供给料斗内的硅粉用安装于料斗底部的星型供料机送入三氯氢硅

合成炉进料管。

从氯化氢合成工序来的氯化氢气，与从循环氯化氢缓冲罐送来

的循环氯化氢气混合后，引入三氯氢硅合成炉进料管，将从硅粉供给

料斗供入管内的硅粉挟带并输送，从底部进入三氯氢硅合成炉。

在三氯氢硅合成炉内，硅粉与氯化氢气体形成沸腾床并发生反

响，生成三氯氢硅，同时生成四氯化硅、二氯二氢硅、金属氯化物、

聚氯硅烷、氢气等产物，此混合气体被称作三氯氢硅合成气。反响大

量放热。合成炉外壁设置有水夹套，通过夹套内水带走热量维持炉壁

的温度。

出合成炉顶部挟带有硅粉的合成气，经三级旋风除尘器组成的干

法除尘系统除去局部硅粉后，送入湿法除尘系统，被四氯化硅液体洗

涤，气体中的局部细小硅尘被洗下；洗涤同时，通入湿氢气与气体接

触，气体所含局部金属氧化物发生水解而被除去。除去了硅粉而被净

化的混合气体送往合成气干法别离工序。

合成气干法别离工序

从三氯氢硅氢合成工序来的合成气在此工序被别离成氯硅烷

液体、氢气和氯化氢气体，分别循环回装置使用。

三氯氢硅合成气流经混合气缓冲罐，然后进入喷淋洗涤塔，被

塔顶流下的低温氯硅烷液体洗涤。气体中的大部份氯硅烷被冷凝并混

入洗涤液中。出塔底的氯硅烷用泵增压，大局部经冷冻降温后循环回

塔顶用于气体的洗涤，多余部份的氯硅烷送入氯化氢解析塔。

出喷淋洗涤塔塔顶除去了大局部氯硅烷的气体，用混合气压缩

机压缩并经冷冻降温后，送入氯化氢吸收塔，被从氯化氢解析塔底部

送来的经冷冻降温的氯硅烷液体洗涤，气体中绝大局部的氯化氢被氯

硅烷吸收，气体中残留的大局部氯硅烷也被洗涤冷凝下来。出塔顶的

气体为含有微量氯化氢和氯硅烷的氢气，经一组变温变压吸附器进一

步除去氯化氢和氯硅烷后，得到高纯度的氢气。氢气流经氢气缓冲罐，

然后返回氯化氢合成工序参与合成氯化氢的反响。吸附器再生废气含

有氢气、氯化氢和氯硅烷，送往废气处理工序进展处理。

出氯化氢吸收塔底溶解有氯化氢气体的氯硅烷经加热后，与从

喷淋洗涤塔底来的多余的氯硅烷集合，然后送入氯化氢解析塔中部，

通过减压蒸馏操作，在塔顶得到提纯的氯化氢气体。出塔氯化氢气体

流经氯化氢缓冲罐，然后送至设置于三氯氢硅合成工序的循环氯化氢

缓冲罐；塔底除去了氯化氢而得到再生的氯硅烷液体，大局部经冷却、

冷冻降温后，送回氯化