第十讲光电探测器的物理效应.pptVIP

《光电子技术》PhotoelectronicTechnique光电探测器的物理效应周自刚第一页，共34页。本讲主要内容一、光子效应三、光电发射效应四、光电导效应五、光伏效应六、温差电效应八、光电转换定律七、热释电效应二、光热效应第二页，共34页。光电探测器(Detector)：对各种光辐射进行接收和探测的器件光辐射量电量32光电倍增管光电探测器第三页，共34页。一、光子效应(PhotonicEffect)指单个光子的性质对产生的光电子起直接作用的一类光电效应。探测器吸收光子后，直接引起原子或分子的内部电子状态的改变。光子能量的大小直接影响内部电子状态的改变。特点对光波频率表现出选择性，响应速度快。例如:光子效应在光电池等中体现31第四页，共34页。一、光子效应效应相应的探测器外光电效应1）光阴极发射光电子2）光电子倍增打拿极倍增通道电子倍增光电管光电倍增管像增强器内光电效应1）光电导（本征和非本征）2）光生伏特PN结和PIN结（零偏）PN结和PIN结（反偏）雪崩肖特基势垒3）光电磁光子牵引光导管或光敏电阻光电池光电二极管雪崩光电二极管肖特基势垒光电二极管光电磁探测器光子牵引探测器30第五页，共34页。当光子与半导体中的自由载流子作用时，光子把动量传递给自由载流子，自由载流子将顺着光线的传播方向做相对于晶格的运动。结果，在开路的情况下，半导体样品将产生电场，它阻止载流子的运动。这个现象被称为光子牵引效应。一、光子效应光子牵引效应29内光电效应外光电效应在光线的作用下，物体内的电子逸出物体表面向外发射的现象称为外光电效应。当光照在物体上，使物体电阻率发生变化，或产生光生电动势的现象叫做内光电效应。第六页，共34页。一、光子效应利用光子效应的器件光电管光电倍增管像增强器光导管或光敏电阻光电池光电二极管雪崩光电二极管肖特基势垒光电二极管光电磁探测器光子牵引探测器28肖特基势垒光电二极管第七页，共34页。(PhotothermalEffect)探测元件吸收光辐射能量后，并不直接引起内部电子状态的改变，而是把吸收的光能变为晶格的热运动能量，引起探测元件温度上升，温度上升的结果又使探测元件的电学性质或其他物理性质发生变化。特点对光波频率没有选择性，响应速度比较慢。在红外波段上，材料吸收率高，光热效应也就更强烈，所以广泛用于对红外线辐射的探测。二、光热效应27第八页，共34页。二、光热效应效应相应的探测器1）测辐射热计负电阻温度系数正电阻温度系数超导2）温差电3）热释电4）其他热敏电阻测辐射热计金属测辐射热计超导远红外探测器热电偶、热电堆热释电探测器高莱盒、液晶等26第九页，共34页。光热效应探测器热敏电阻测辐射热计金属测辐射热计超导远红外探测器热电偶、热电堆热释电探测器高莱盒、液晶等25新型快速热释电(Pyroelectric)探测器二、光热效应第十页，共34页。三、光电发射效应金属或半导体受光照时，如果入射的光子能量hν足够大，它和物质中的电子相互作用，使电子从材料表面逸出的现象，叫做光电发射效应，也称为外光电效应。它是真空光电器件光电阴极的物理基础。能产生光电发射效应的物体，在光电管中又称为光阴极。24第十一页，共34页。三、光电发射效应231)光射入物体后，物体中的电子吸收光子能量，从基态跃迁到能量高于真空能级的激发态。光电发射大致可分三个过程：2)受激电子从受激地点出发，在向表面运动过程中免不了要同其它电子或晶格发生碰撞，而失去一部分能量。3)达到表面的电子，如果仍有足够的能量足以克服表面势垒对电子的束缚（即逸出功）时，即可从表面逸出。第十二页，共34页。三、光电发射效应22：光电发射体的功函数电子离开发射体表面时的动能爱因斯坦方程截止频率截止波长第十三页，共34页。三、光电发射效应21利用光电发射效应的器件光电管光电倍增管像增强器光电管光电倍增管像增强器第十四页，共34页。四、光电导效应光照变化引起半导体材料电导变化的现象称光电导效应。半导体受光辐射时，电导率增加而变得易于导电。这种效应的产生，来自于材料因吸