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中子辐照下钨材料缺陷产生与再结晶的模拟研究.pdf

中子辐照下钨材料缺陷产生与再结晶的模拟研究.pdf

    摘要

    摘要

    磁约束聚变是实现聚变能和平利用的途径之一，目前主流的磁约束聚变装

    置为托卡马克。在未来聚变实验堆或示范电站运行过程中，面向等离子体材料

    material，PFM)将服役在高通量聚变中子辐照(能量峰值约14

    (Plasma．facing

    MeV)和高热负荷(大于lOMW·m’2)的严苛环境下。因此，钨由于具有高熔

    点、高溅射阈值、低燃料滞留量等良好性能被确定为未来聚变堆PFM的候选材

    料。然而，中子带来

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