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;;学习目标
1.了解半导体的概念和特点。
2.掌握二极管的概念、伏安特性和主要参数。
3.了解特殊二极管及其在汽车上的应用。
4.能用数字式万用表判断二极管的好坏。
5.能用发光二极管制作试灯。;一、半导体
物质按导电能力强弱不同可分为导体、半导体和绝缘体三大类。半导体的导电能力介于导体和绝缘体之间。目前,制造半导体器件用得最多的是硅和锗两种材料。由于硅和锗是原子规则排列的单晶体,因此用半导体材料制成的半导体管属于晶体管。
纯净的半导体称为本征半导体,它的导电能力是很弱的。在纯净的半导体中掺入微量的某种杂质元素,半导体的导电能力会增强很多,电阻急剧减小。利用半导体的掺杂特性,可制成P型和N型两种杂质半导体。;二、二极管的概念、伏安特性和主要参数
1.二极管的概念
半导体二极管又称为晶体二极管,简称二极管。当P型半导体和N型半导体结合在一起时,得到的PN结封装起来就是二极管,二极管用字母V(或VD)表示,其结构和图形符号如图所示。根据制造材料的不同,二极管可分为硅二极管和锗二极管。;2.二极管的伏安特性
流过二极管的电流随着加在二极管两端电压的变化而变化的性质称为二极管的伏安特性,如图所示为二极管的伏安特性曲线。;(1)正向特性
硅二极管的伏安特性曲线如上图所示,从图中可看出,当二极管上正向电压小于某一数值Uth时,正向电流很小,几乎为零,二极管呈现出较大的电阻,这段区域称为死区,Uth称为死区电压或门槛电压。硅管Uth=0.5V,锗管Uth=0.1V。正向电压超过Uth后,正向电流按指数规律增长,二极管处于导通状态。二极管导通后,二极管两端的电压几乎不再变化,此时二极管两端的电压称为导通压降。硅管的导通压降为0.7V,锗管的导通压降为0.3V。;(2)反向特性
当二极管被加上反向电压时,流过二极管的电流很小,称为反向饱和电流Is,硅管Is0.1μA,锗管Is约为几十微安。
(3)反向击穿特性
当反向电压增加到某个数值UBR时,流过二极管的反向电流将急剧增大,这种现象称为反向击穿,UBR称为反向击穿电压。使用二极管时,应避免反向???压超过反向击穿电压,以防止二极管损坏。;3.二极管的主要参数
(1)最大整流电流
最大整流电流IF是指二极管长期运行过程中,允许通过的最大正向平均电流。实际使用时的工作电流应小于IF,如果超过此值,二极管可能会因过热而烧坏。
(2)最高反向工作电压
最高反向工作电压URM是指二极管工作时两端所允许加的最大反向电压。通常情况下,URM约为反向击穿电压UBR的一半,以保证二极管安全工作,防止击穿。;三、特殊二极管
1.稳压二极管
稳压二极管是一种由特殊工艺制造的二极管,又称为齐纳二极管、电压调整二极管,它与电阻配合使用,具有稳定电压的功能。;2.发光二极管
发光二极管(LED)是采用砷、镓、磷等材料制作的二极管,内部基本单元仍是一个PN结。;3.光敏二极管
光敏二极管是在反向电压作用下工作的,当光线照射在PN结上时,二极管的反向电流增加,光照强度越大,反向电流就越大,利用这个特性制成的二极管就是光敏二极管。光敏二极管的结构、图形符号和外形如图所示。;;学习目标
1.了解三极管的概念和基本参数。
2.熟悉三极管的特性曲线和三种工作状态。
3.了解三极管的基本放大电路和开关电路。
4.了解光敏三极管、晶闸管、场效应晶体管的工作特点及应用。
5.能正确使用目测法和万用表检测法判断三极管的管型和管脚极性。;一、三极管的概念和基本参数
1.三极管的概念
半导体三极管也称为晶体三极管,简称三极管或晶体管。它是由两个距离很近的PN结组成的,是在一块半导体晶片上制造三个掺杂区,形成两个PN结,再引出三个电极,用管壳封装而成。按照两个PN结组合方式的不同,三极管分为NPN型和PNP型两大类,其结构示意图和图形符号如图所示,用字母V(或VT)表示。;127;三极管的三个电极分别为发射极E、集电极C、基极B。三极管的基本功能是利用基极电流控制集电极和发射极之间的电流。三极管可以看作一个电流的控制阀,集电极和发射极是电流的通路,而基极就是控制电流的阀门,只不过这个阀门不是靠旋转而是靠本身流过的电流——基极电流来控制集电极和发射极之间的电流。三极管符号中的箭头表示两种不同类型的三极管集电极和发射极之间电流的方向。NPN型三极管的电流从集电极流向发射极,PNP型三极管的电流从发射极流向集电极。;2.三极管的基本参数
(1)共射极直流电流放大系数hFE
三极管集电极电流与基极电流的比值,即hFE=IC/IB,反映三极管的直流电流放大能力。
(2)共射极交流电流放大系数β
三极管集电极电流的变化
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