集成电路芯片封装技术芯片互连技术(共40张PPT).pptx

集成电路芯片封装技术芯片互连技术;前课回顾;引线键合技术（WB）;引线键合技术概述;引线键合技术分类和应用范围;提供能量破坏被焊表面的氧化层和污染物，使焊区金属产生塑性变形，使得引线与被焊面紧密接触，达到原子间引力范围并导致界面间原子扩散而形成焊合点。引线键合键合接点形状主要有楔形和球形，两键合接点形状可以相同或不同。;超声键合：超声波发生器使劈刀发生水平弹性振动，同时施加向下压力。劈刀在两种力作用下带动引线在焊区金属表面迅速摩擦，引线发生塑性变形，与键合区紧密接触完成焊接。常用于Al丝键合，键合点两端都是楔形。

热压键合：利用加压和加热，使金属丝与焊区接触面原子间达到原子引力范围，实现键合。一端是球形，一端是楔形，常用于Au丝键合。

金丝球键合：用于Au和Cu丝的键合。采用超声波能量，键合时要提供外加热源。;PCB的焊区金属化与基板相类似。

目的：缓冲焊点受机械振动和CTE失配导致基板对芯片拉力作用引起的焊点裂纹和失效，提高可靠性。

焊接工具是由硬质金属或钻石制成的热电极。

典型的凸点金属材料多为Au或Au合金。

TAB关键技术-封胶保护

引线键合点跟部出现裂纹。

1）互连线短，互连电特性好

金属焊区通常的金属层包括：

Cu箔涂光刻胶（双面）

球形键合第一键合点第二键合点

·芯片尺寸封装(CSP)

TAB工艺关键部分有：芯片凸点制作、TAB载带制作和内、外引线焊接等。

芯片上的凸点，实际上包括凸点及处在凸点和铝电极之间的多层金属膜(UnderBumpMetallurgy)，一般称为凸点下金属层，主要起到粘附和扩散阻挡的作用。

劈刀在两种力作用下带动引线在焊区金属表面迅速摩擦，引线发生塑性变形，与键合区紧密接触完成焊接。

尽量少形成金属间化合物，键合引线和焊盘金属间形成低电阻欧姆接触。

TAB工艺关键部分有：芯片凸点制作、TAB载带制作和内、外引线焊接等。;采用导线键合的芯片互连;不同键合方法采用的键合材料也有所不同：

热压键合和金丝球键合主要选用金（Au）丝，超声键合则主要采用铝（Al）丝和Si-Al丝（Al-Mg-Si、Al-Cu等）

键合金丝是指纯度约为％，线径为l8～50μm的高纯金合金丝，为了增加机械强度，金丝中往往加入铍(Be)或铜。;键合对金属材料特性的要求：

可塑性好，易保持一定形状，化学稳定性好；尽量少形成金属间化合物，键合引线和焊盘金属间形成低电阻欧姆接触。;金属间化合物形成——常见于Au-Al键合系统

引线弯曲疲劳

引线键合点跟部出现裂纹。

键合脱离——指键合点颈部断裂造成电开路。

键合点和焊盘腐蚀

腐蚀可导致引线一端或两端完全断开，从而使引线在封装内自由活动并造成短路。;载带自动键合（TAB）技术概述;TAB技术分类;键合脱离——指键合点颈部断裂造成电开路。

凸点下金属层(UBM)

引线键合点跟部出现裂纹。

冲制标准定位传送孔

各向异性导电胶倒装焊接法

集成电路芯片封装工艺流程

TAB关键技术-封胶保护

热压键合：利用加压和加热，使金属丝与焊区接触面原子间达到原子引力范围，实现键合。

载带自动键合（TAB）技术

倒装芯片键合技术（FCB）

引线键合点跟部出现裂纹。

4）TAB引线电阻、电容、电感小，有更好的电性能

楔形键合第一键合点第二键合点

目的：缓冲焊点受机械振动和CTE失配导致基板对芯片拉力作用引起的焊点裂纹和失效，提高可靠性。

引线键合技术是将半导体裸芯片（Die）焊区与微电子封装的I/O引线或基板上的金属布线焊区（Pad）用金属细丝连接起来的工艺技术。

柯肯达尔效应：两种扩散速率不同的金属交互扩散形成缺陷：如Al-Au键合后，Au向Al中迅速扩散，产生接触面空洞。;TAB技术工艺流程;TAB技术工艺流程;TAB技术工艺流程;TAB关键技术;TAB关键技术-凸点制作;载带制作工艺实例—Cu箔单层带;内引线键合(ILB);TAB关键技术-封胶保护;外引线键合OLB;TAB技术的关键材料;2）TAB金属材料

制作TAB引线图形的金属材料常用Cu箔，少数采用Al箔：导热性和导电性及机械强度、延展性。;TAB技术的关键材料;TAB的优点;倒装芯片键合技术;倒装芯片键合技术;倒装芯片键合技术应用;凸点类型和特点

按材料可分为焊料凸点、Au凸点和Cu凸点等

按凸点结构可分为：周边性和面阵型

按凸点形状可分为蘑菇型、直状、球形等;形成凸点的工艺技术有很多种，主要包括蒸发/溅射凸点制作法、电镀凸点制作法、置球法和模板制作焊料凸点法等。;制作出来的凸点芯片可用于陶瓷基板和Si基板，也可以在PCB上直接将芯片进行FCB焊接。