窄禁带半导体薄膜光阴极的性能模拟研究.pdf

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摘要

近年来,迅速发展的新能源、自旋电子、空间探测技术等促进了光电阴极的性能

发展,以GaAs为代表的NEA光电阴极无法满足在短红外波段的探测需求,因此有必

要对新的光电阴极材料展开研究,提升对夜天光资源的利用率。窄禁带半导体材料具

有电子有效质量小,电子迁移率高,载流子寿命长等特性,是优良的红外光电信息功

能材料。而夜天光辐射的波段范围由短红外波段到部分可见光均有分布,其峰值和主

要辐射能主要存在于短波红外波段、近红外波段,其中另有少部分分布在中红外波段,

在微光夜视技术上有着潜在的

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