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氧化锌薄膜的特性、制备及应用

1氧化锌薄膜的特性

氧化锌（ZnO）是一种宽禁带半导体材料，其具有优异的光电、

压电、介电及晶格特性，而且原料价格低廉，外延生长成本低廉，易

于实现掺杂，广泛的应用于诸多领域。氧化锌晶体为六方纤锌矿结构，

常温禁带宽度约为3.37eV。氧化锌薄膜存在着锌间隙和氧空位，是n

型极性半导体。氧化锌薄膜是一种可见光透射率高达90%的理想透明

导电膜，其电阻率低至10-4Ω·cm。氧化锌铝（AZO）薄膜具有更好

的透明度和导电性，其透射率为91%，电阻率为10-5Ω·cm，因此AZO

薄膜已逐渐成为ITO（In2O3：Sn）薄膜的替代材料。

2氧化锌薄膜的制备

不同的应用对氧化锌薄膜的结晶取向、薄膜厚度、表面平整度以

及光电、压电等性质的要求各有区别。这些差异是由不同的制备技术

及工艺参数所决定的，各种制备工艺各有优缺点，从结晶情况来看主

要在玻璃上用金属有机物化学气相沉积（MOCVD），PLD法制备的薄

膜质量较好。

磁控溅射法是目前（尤其是国内）研究最多、最成熟的一种氧化

锌薄膜制备方法。溅射是利用荷能粒子轰击靶材，使靶材原子或分子

被溅射出来并沉积到衬底表面的一种工艺。根据靶材在沉积过程中是

否发生化学变化，可分为普通溅射和反应溅射。若靶材是Zn，沉积过

程中Zn与环境气氛中的氧气发生反应生成氧化锌则是反应溅射；若

靶材是氧化锌陶瓷，沉积过程中无化学变化则为普通溅射法。

PLD法是20世纪80年代后发展起来的一种真空物理沉积方法。

在超高真空（本底压强可达9×10-8Pa）系统中将KrF或ArF激光器

发出的高能激光脉冲汇聚在靶表面，使靶材料瞬时熔融气化，并沉积

到衬底上形成薄膜。

MBE（分子束外延法）是一种可达原子级控制的薄膜生长方法。

它用于生长高质量的氧化锌薄膜，可采用微波电子回旋共振分子束外

延（ECR-MBE），也可采用激光分子束外延法（L-MBE）。

化学气相沉积是将反应物由气相引入到衬底表面发生反应，形成

薄膜的一种工艺。是用于氧化锌薄膜生长的一种非常受重视的研究方

法。根据沉积过程对真空度的要求不同，可分为低压CVD与常压CVD

方法。低压CVD方法又有等离子体增强化学气相沉积法（PECVD）、

MOCVD和单一反应源化学气相沉积法（SSCVD）等。

3氧化锌薄膜的应用

氧化锌与其他材料相比，存在很多优点，如高强度、抗辐射、耐

高温、能抵御宇宙中的各种粒子或射线的影响，因此将其主要应用在

光电子方面，其中以太阳能电池和氧化锌基紫外探测器更为突出。氧

化锌还有其它方面的应用，如氧化锌作沉底材料、压敏、气敏和压电

方面的应用。

３.1太阳能电池方面的应用

氧化锌薄膜在太阳能电池中主要作为透明电极和窗口材料，具有

优异的光电性能，在适当的掺杂下，表现出很好的低阻特征。利用P-

MOCVD技术制得ZnO：B薄膜，电阻率为5×10-4Ω·cm，用于α-Si

太阳能电池，在100mW/cm2的光照处，其效率为8.7%。用氢等离子

处理的ZnO：Ga薄膜也可用于太阳能电池，η=13%。利用氧化锌作

透明传导膜，CdS为缓冲层，制备出ZnO/CdS/Cu（In,Ga）Se2太阳

能电池,效率可达14%，较大提高了器件的性能。

３.２压电方面的应用

通过高密度、定向生长的氧化锌薄膜是一种具有良好压电性质的

材料，能够用来制造高频纤维声光器件及声光调制器等压电转换器材

料。作为一种压电材料，氧化锌还可在大容量、高速率光纤通信的光

纤相位调制、反雷达动态测频、电子侦听、卫星移动通信、并行光信

息处理等民用及军事领域得到广泛的应用。

３.３压敏方面的应用

氧化锌压敏材料受到外加电压时，存在一个阈值电压，当外加电

压高于该值时即进入击穿区，此时电压的微小变化即会引起电流的迅

速增大。由于具有这种特征，氧化锌压敏材料在各种电器设备的电压

保护、稳压和浪涌电压吸收等方面都起到很重要的作用。

３.4光电器件方面的应用

氧化锌有着很好的光泵浦受激辐射特性，p型氧化锌的制得使其

在紫外