【CN109872835A】一种红外透明导电薄膜、及其制备方法和用途.pdfVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN109872835A

(43)申请公布日2019.06.11

(21)申请号201910328776.9H01B13/00(2006.01)

(22)申请日2019.04.23

(71)申请人深圳扑浪创新科技有限公司

地址518000广东省深圳市龙岗区布吉街

道甘李工业区甘李六路12号中海信创

新产业城18A栋8层2-3单元

(72)发明人孙小卫王恺张楠丁时浩

徐冰

(74)专利代理机构北京品源专利代理有限公司

11332

代理人巩克栋

(51)Int.Cl.

H01B5/14(2006.01)

H01B1/02(2006.01)

H01B1/08(2006.01)

权利要求书2页说明书9页附图1页

(54)发明名称

一种红外透明导电薄膜、及其制备方法和用

途

(57)摘要

本发明涉及一种红外透明导电薄膜、及其制

备方法和用途。所述红外透明导电薄膜包括衬底

和依次设置于所述衬底上的种子层和导电层；所

述种子层为具有方铁锰矿体心立方晶体结构的

材料；所述导电层为氧化铟掺杂第IIIB族化合

物。本发明采用具有方铁锰矿体心立方晶体结构

的材料作为种子层，采用氧化铟掺杂第IIIB族化

合物作为导电层，因该种子层的晶体结构与氧化

铟的晶体结构相同，进而得到的红外透明导电薄

膜良好的光电性能，相对于现有技术中采用金属

网栅和ITO膜网栅，具有薄膜硬度高、附着力强、

红外透过率高等优势。

A

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权利要求书

CN109872835A1/2页

1.一种红外透明导电薄膜，其特征在于，所述红外透明导电薄膜包括衬底和依次设置

于所述衬底上的种子层和导电层；

所述种子层为具有方铁锰矿体心立方晶体结构的材料；

所述导电层为氧化铟掺杂第IIIB族化合物。

2.如权利要求1所述的红外透明导电薄膜，其特征在于，所述第IIIB族化合物包括第

IIIB族镧系化合物；

优选地，所述第IIIB族镧系化合物包括第IIIB族镧系氧化物和/或第IIIB族镧系氟化

物；

优选地，所述第IIIB族镧系氧化物包括氧化铈；

优选地，所述第IIIB族镧系氟化物包括氟化铈；

优选地，所述导电层中第IIIB族化合物的含量为0.01～10wt％，优选为2～8wt％；

优选地，所述衬底的厚度为0.5～2mm；

优选地，所述种子层的厚度为20～300nm，优选为40～80nm；

优选地，所述导电层的厚度为30～350nm，优选为100～160nm。

3.如权利要求1或2所述的红外透明导电薄膜，其特征在于，所述方铁锰矿体心立方晶

体结构的材料包括氧化钇、氧化锰、氟化钇和氟化锰中的任意一种或至少两种的组合；

优选地，所述衬底为红外透明材料，优选为硅片、蓝宝石或石英中的任意一种。

4.一种如权利要求1-3之一所述红外透明导电薄膜的制备方法，其特征在于，所述制备

方法包括如下步骤：

在衬底上依次制备种子层和导电层，得到红外透明导电薄膜；

所述种子层为具有方铁锰矿体心立方晶体结构的材料，所述导电层为氧化铟掺杂第

IIIB族化合物。

5.如权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述种子层和导电层的制备方法包括溶

液旋涂法、真空热蒸发镀膜法、真空电子束热蒸法、磁控溅射法、等离子体增强化学气