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(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利说明书
(10)申请公布号CN102290443A
(43)申请公布日2011.12.21
(21)申请号CN201110213610.6
(22)申请日2011.07.28
(71)申请人北京大学深圳研究生院
地址518055广东省深圳市南山区西丽深圳大学城北大校区
(72)发明人姚建可张盛东
(74)专利代理机构深圳鼎合诚知识产权代理有限公司
代理人郭燕
(51)Int.CI
H01L29/786
H01L29/12
H01L29/22
权利要求说明书说明书幅图
(54)发明名称
一种非晶薄膜晶体管及其制备方法
(57)摘要
本发明公开了一种金属氧化物薄膜
晶体管(Metaloxidethinfilmtransistor，
MOTFT)的制备工艺。首先，采用最优O
含量的有源层来提高MOTFT的EBS稳定
性。其次，采用掺Mg有源层来提高
MOTFT的UV光稳定性。最后，采用富In
法律状态
法律状态公告日法律状态信息法律状态
权利要求说明书
1.一种MOTFT，其特征在于：采用O含量优化的有源层。
2.如权利要求1所述的MOTFT，其特征在于：所述有源层采用Mg掺杂。
3.如权利要求1所述的MOTFT，其特征在于：所述有源层为ZnO。
4.如权利要求1所述的MOTFT，其特征在于：所述有源层为掺Ga或Mg的
Insub2/subOsub3/sub。
5.如权利要求1所述的MOTFT，其特征在于：所述栅介质为非晶态结构的栅
介质。
6.一种MOTFT的制备方法，包括制作栅极、制作栅介质、制作有源层、制作
源漏极、制作保护层、退火，其特征在于：所述制作有源层的步骤为：
用磁控溅射(Magneticsputtering，MS)制备，制备过程不充
Osub2/sub气或从小到大增加Osub2/sub气流量，当TFT的EBS稳定性较
佳时，即为找到最佳工艺点，持续使用该最佳工艺条件制备有源层。
7.如权利要求6所述的MOTFT的制备方法，其特征在于：
所述制作有源层的步骤为：用MS工艺制备InMgZnOsubx/sub，靶材成份为
Insub2/subOsub3/sub∶MgO∶ZnO＝45∶30∶25wt％或
Insub2/subOsub3/sub∶MgO∶ZnO＝60∶15∶25wt％。
8.如权利要求6所述的MOTFT的制备方法，其特征在于：
所述制作有源层的步骤为：用MS工艺制备ZnO，基底温度TsubS/sub～
350℃，靶材为金属Zn靶；或者用脉冲激光沉积
(Pulsedlaserdeposition，PLD)工艺制备ZnO，制备条件为：
TsubS/sub～600℃，Zn靶，氧分压～10sup-3/supPa。
9.如权利要求6所述的MOTFT的制备方法，其特征在于：
所述制作有源层的步骤为：用MS工艺制备，靶材成份为
Insub2/subOsub3/sub∶Gasub2/subOsub3/sub＝
70∶30mol％，Insub2/subOsub3/sub∶MgO＝75∶25wt％或90∶10wt％。
10.如权利要求6所述的MOTFT
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