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不同导电类型硅单晶电学性能分析

摘要

现如今，霍尔效应已经有了越来越广泛的应用，哪怕是我们的生活中，以霍尔效应为基础的家用电器也随处可见。而在科研领域，我们可以利用霍尔效应测量出样品的电阻率、载流子浓度等电学参数。本文将使用霍尔效应测试仪器，测量单晶硅的各项参数来验证其可靠性。

本次研究使用HMS-3000霍尔效应测试仪，通过改变通入样品的电流大小和方向，并且控制加在样品上的磁场方向来测量P-Si和N-Si的电阻率、霍尔迁移率、载流子浓度等电学参数，使用origin9来处理数据，最后得出该样品具有良好的可靠性。

关键词：霍尔效应，HMS-3000，霍尔系数，电阻率，迁移率

第一章绪论

1.1前言

随着科技的发展，霍尔效应的理论研究也不断取得进展，霍尔器件也随之不断发展、改进，在生活中以及科研领域方面有了更加普遍的应用。

霍尔效应最初是在金属中发现的，但金属材料中电子浓度较大，霍尔效应比较微弱，实用价值不大，所以在之后的六七十年里都没有引起人们的重视。但随着科技和半导体材料的发展，人们发现半导体中的载流子浓度较低，因此霍尔效应在半导体中非常显著，这对霍尔效应的发展提供了巨大的帮助。到了20世纪40年代，各种半导体霍尔元件开始出现。20世纪60年代，随着集成电路技术的出现和发展，霍尔传感器开始出现。而到了20世纪80年代以后，随着大规模、超大规模集成电路和微机械加工技术的不断发展，霍尔元件也迎来了巨大突破，实现了从平面往三维方向发展，出现了三端口或四端口固态霍尔传感器，体积微型化、加工批量化、产品系列化也一一实现，现如今霍尔元件已经在测量、计算机和信息技术等各方面有了广泛的应用，在生活方面我们也是离不开它。

从霍尔效应发现到现在，已经有了很多科研成果，霍尔器件也朝着微型化、高集成度、高灵敏度不断发展。展望未来，我相信霍尔效应会随着科技的发展，有着更多、更加辉煌的成果，给人们带来更多的便利。

1.2霍尔效应的发现、原理及应用

1.2.1霍尔效应的发现

1879年，美国物理学家霍尔在研究金属的导电机制时发现，当电流垂直于外磁场通关半导体时，载流子发生偏转，垂直于电流和磁场的方向会产生一附加电场，从而在半导体的两端产生电势差，这一现象就是霍尔效应，而这种电势差则被称为霍尔电压：

VH=RH·

（式中B为与金属片垂直方向上所加磁场的强度，I为通过金属片的电流，d为金属片的厚度，RH为霍尔系数）

1.2.2霍尔效应的原理

图1-1霍尔效应原理图1-1霍尔效应原理图

霍尔效应是导电材料中的电流与磁场的相互作用，而产生电动势的一种效应。

这个导电材料通常是半导体材料，将半导体材料接入一个电源中，形成一个回路，此时电路中就存在电荷的定向移动。如果此时将这个导电板处于一个磁场中，电荷会受到洛伦兹力F=evB，其路径会发生偏移，电荷偏移之后，就会形成电场，该电场就是霍尔电场E，电荷同时会受到电场力Fe=eE，这个力正好与洛伦兹力方向相反，阻碍其移动，最终，电场力与洛伦兹力平衡，即F=Fe即

（1-2）由于电流

（1-2）

由于电流

因此

（1-4）（1-3）

（1-4）

将式（1-3）和（1-4）代入（1-2）可得

取（1-5）

取

为霍尔系数，代入式（1-5）可得

（1-6）

式（1-6）中的U即为霍尔电压，当材料及形状固定时，其大小与磁场强度和通过的电流大小有关。同时可以看出，霍尔系数只与霍尔材料有关。

1.2.3霍尔效应的应用

测量磁场。测量磁场的方法有很多，而利用霍尔效应测磁场则是其中较为简单的一种方法。由公式1-6可知，对于一个已知霍尔系数的导体，通过一个已知方向、大小的电流，同时测出该导体两侧的霍尔电势差的方向与大小，就可以得出该导体所处磁场的方向和大小。

测量微小位移。当霍尔元件在磁场中移动时，其霍尔电势的大小就反映了磁场的变化，也反映出了位移的变化，利用这一原理即可对微小位移进行测量。

霍尔传感器。霍尔传感器是一种由霍尔元件和转换电路组成的磁电转换传感器，有着体积小，动态特性好，使用寿命长，廉价等诸多特点。在工业生产中，霍尔传感器广泛用于高档汽车生产中；而在我们日常生活中，霍尔传感器则大多用于家用电器。霍尔传感器在军事和通讯中也有广泛的应用。

第二章实验分析

2.1实验原理

2.1.1电阻率的测量

测量电阻率时，依次向四个相邻电极（AB、BC、CD、DA）中通入电流，分别测量出相对两边（AB和CD，BC和

DA）的电势差，所以可得两端电阻为

，

，

由于该样品为范德堡样品，即是一块形状为正方形，厚度均匀，表面没有孔洞的样品，这种样品电阻率一般比

较均匀。而对于正方形样品，在理想状况下

2.1.2霍尔系数，迁移率以及载流子浓度的测量

由图2-1所示