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基本概念题:
第一章半导体电子状态
1、1半导体
通常就是指导电能力介于导体与绝缘体之间得材料,其导带在绝对零度时全空,价带全满,禁带宽度较绝缘体得小许多。
1、2能带
晶体中,电子得能量就是不连续得,在某些能量区间能级分布就是准连续得,在某些区间没有能及分布。这些区间在能级图中表现为带状,称之为能带。
1、2能带论就是半导体物理得理论基础,试简要说明能带论所采用得理论方法。
答:
能带论在以下两个重要近似基础上,给出晶体得势场分布,进而给出电子得薛定鄂方程。通过该方程与周期性边界条件最终给出E-k关系,从而系统地建立起该理论。
单电子近似:
将晶体中其它电子对某一电子得库仑作用按几率分布平均地加以考虑,这样就可把求解晶体中电子波函数得复杂得多体问题简化为单体问题。
绝热近似:
近似认为晶格系统与电子系统之间没有能量交换,而将实际存在得这种交换当作微扰来处理。
1、2克龙尼克—潘纳模型解释能带现象得理论方法
答案:
克龙尼克—潘纳模型就是为分析晶体中电子运动状态与E-k关系而提出得一维晶体得势场分布模型,如下图所示
V
V
X
克龙尼克—潘纳模型得势场分布
利用该势场模型就可给出一维晶体中电子所遵守得薛定谔方程得具体表达式,进而确定波函数并给出E-k关系。由此得到得能量分布在k空间上就是周期函数,而且某些能量区间能级就是准连续得(被称为允带),另一些区间没有电子能级(被称为禁带)。从而利用量子力学得方法解释了能带现象,因此该模型具有重要得物理意义。
1、2导带与价带
1、3有效质量
有效质量就是在描述晶体中载流子运动时引进得物理量。它概括了周期性势场对载流子运动得影响,从而使外场力与加速度得关系具有牛顿定律得形式。其大小由晶体自身得E-k关系决定。
1、4本征半导体
既无杂质有无缺陷得理想半导体材料。
1、4空穴
空穴就是为处理价带电子导电问题而引进得概念。设想价带中得每个空电子状态带有一个正得基本电荷,并赋予其与电子符号相反、大小相等得有效质量,这样就引进了一个假想得粒子,称其为空穴。它引起得假想电流正好等于价带中得电子电流。
1、4空穴就是如何引入得,其导电得实质就是什么?
答:
空穴就是为处理价带电子导电问题而引进得概念。设想价带中得每个空电子状态带有一个正得基本电荷,并赋予其与电子符号相反、大小相等得有效质量,这样就引进了一个假想得粒子,称其为空穴。
这样引入得空穴,其产生得电流正好等于能带中其它电子得电流。所以空穴导电得实质就是能带中其它电子得导电作用,而事实上这种粒子就是不存在得。
1、5半导体得回旋共振现象就是怎样发生得(以n型半导体为例)
答案:
首先将半导体置于匀强磁场中。一般n型半导体中大多数导带电子位于导带底附近,对于特定得能谷而言,这些电子得有效质量相近,所以无论这些电子得热运动速度如何,它们在磁场作用下做回旋运动得频率近似相等。当用电磁波辐照该半导体时,如若频率与电子得回旋运动频率相等,则半导体对电磁波得吸收非常显著,通过调节电磁波得频率可观测到共振吸收峰。这就就是回旋共振得机理。
1、5简要说明回旋共振现象就是如何发生得。
半导体样品置于均匀恒定磁场,晶体中电子在磁场作用下运动
运动轨迹为螺旋线,圆周半径为r,
回旋频率为
当晶体受到电磁波辐射时,
在频率为时便观测到共振吸收现象。
1、6直接带隙材料
如果晶体材料得导带底与价带顶在k空间处于相同得位置,则本征跃迁属直接跃迁,这样得材料即就是所谓得直接带隙材料。
1、6间接带隙材料
如果半导体得导带底与价带顶在k空间中处于不同位置,则价带顶得电子吸收能量刚好达到导带底时准动量还需要相应得变化
第二章半导体杂质与缺陷能级
2、1施主杂质受主杂质
某种杂质取代半导体晶格原子后,在与周围原子形成饱与键结构时,若尚有一多余价电子,且该电子受杂质束缚很弱、电离能很小,所以该杂质极易提供导电电子,因此称这种杂质为施主杂质;反之,在形成饱与键时缺少一个电子,则该杂质极易接受一个价带中得电子、提供导电空穴,因此称其为受主杂质。
替位式杂质
杂质原子进入半导体硅以后,杂质原子取代晶格原子而位于晶格点处,称为替位式杂质。
形成替位式杂质得条件:杂质原子大小与晶格原子大小相近
间隙式杂质
杂质原子进入半导体硅以后,杂质原子位于晶格原子间得间隙位置,称为间隙式杂质。
形成间隙式杂质得条件:
(1)杂质原子大小比较小
(2)晶格中存在较大空隙
形成间隙式杂质得成因
半导体晶胞内除了晶格原子以外还存在着大量空隙,而间隙式杂质就可以存在在这些空隙中。
2、1杂质对半导体造成得影响
杂质得出现,使得半导体中产生了局部得附加势场,这使严格得周期性势场遭到破坏。从能带得角度
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