三极管和二极管的选用.pdf

三极管选用

概述

三极管分为双极型三极管和场效应三极管。参与导电的载流子有两种（电子和空穴）的称为双极型

三极管；只有一种载流子导电的称为场效应三极管，也称为单极型三极管。在分离器件里，我们所指的三

极管一般是双极型三极管。这里我们也主要讨论双极型三极管。双极型三极管在结构上可以看成是两个P

N结背靠背在一起形成的，当两个PN结空间电荷区之间的距离比载流子的扩散长度小得多时，就得到了双

极型三极管。三极管可用合金法、扩散法和离子注入法制成。合金法制作的晶体管基区的杂质分布是均匀

的，称为均匀基区晶体管；扩散法制作的晶体管的特点是晶体管的一个关键参数基区宽度由两次扩散的

温度和时间来控制，可控性好。扩散法制作的晶体管的基区杂质分布是非均匀的，称为非均匀基区晶体管。

晶体管三个区域总的杂质分布趋势是发射区杂质浓度比基区高得多，基区杂质浓度又比集电区杂质浓度高，

分别为1019cm-3、1017cm-3、1016cm-3量级。从三个区域的掺杂类型的不同来分，三极管可分为NP

N和PNP两种类型；从功率上来分，可分为功率三极管和普通三极管，同普通三极管相比，功率三极管有

许多不同的地方，如二次击穿、集电极集边效应等；从应用频率上分，可分为高频三极管，低频三极管等。

从1948贝尔实验室的两位研究员发现双极型三极管以来，双极型三极管从合金型三极管、合金扩散

型、台面型到现在平面型晶体管，到现在，在频率、温度特性及长期工作稳定性等性能双极型三极管都可

以作到非常优越。

双极型三极管的用途极为广泛，单归纳起来可以分为放大作用和开关作用两个用途。无论那种用途，

都是基于它的电流控制功能。双极型三极管之所以具有电流控制作用，可以从其结构和掺杂来解释。上面

提到双极型三极管的发射区、基区和集电区的杂质浓度是从大到小排列的，1.发射区的杂质浓度最大，基

区次之，集电区最小；2.发射结和集电结空间电荷区之间的距离要小于载流子的扩散长度，3.发射区的结

面积要小，集电区的结面积要大。以上这三点是保证管子具有三极管性能的必要条件。双极型三极管的偏

置条件是发射结正偏，集电结反偏。以NPN为例，因为发射区杂质浓度大，发射结正偏时，发射区向基区

注入大量的电子，并在基区形成一定的浓度梯度，电子浓度梯度的存在，使电子向集电结扩散，因为发射

结和集电结空间电荷区间的距离很小，电子在被复合前可以到达集电结，集电结的反向偏置，以及集电结

较大的面积，使扩散到集电结空间电荷区边界处的在电场的作用下加速向集电区漂移，成为集电极电流的

主要成分。发射结注入的电子在向集电区输运的过程中将因复合而损失一部分。基区的多数载流子是空穴，

复合主要发生在基区。基区复合损失的空穴由基极外电路加以补充，此空穴流成为基极电流的主要部分。

这是双极型三极管内部电流流动的基本概况。从外部电路来看，当基极加上正向偏置（外加信号），集电

极加上反向偏置（电源），基极的信号可以看成是外电路补充给发射极注入在基区的复合损失，基极的信

号的大小控制着发射极注入的大小，同时也控制着集电极电流的大小，而基极电流只是发射极注入的一小

部分，发射极注入的载流子可以认为基本上都到达了集电极，形成了集电极电流。从而小的基极电流信号

就可以得到大的集电极电流。这就是三极管电流放大作用的物理实质。

下面是扩散法制作双极型三极管的简要的过程：

衬底制备→外延（在衬底上生长一层较高电阻率的外延层）→氧化（在外延层上生成一层SiO2保护膜）

→光刻（在SiO2膜上开一个窗口）→形成基区（从SiO2膜窗口进行P型杂质扩散）→氧化（将开的SiO2

膜窗口再生成一层SiO2膜）→光刻发射区→形成发射区（n型杂质扩散）→形成电极。

三极管的特性

下面是双极型三极管的特性描述：

1、双极型三极管的直流特性电流放大倍数是双极型三极管最重要的直流特性参数

电流放大系数与三极管的结构参数和材料参数之间的关系

①均匀基区三极管的电流放大系数在结构上，基区宽度越窄，基区输运系数越高；在材料参数上，

发射区杂质浓度比基区杂质越高，注入效率越高。

②缓变基区三极管的电流放大系数在结构上，基区宽度仍是决定基区输运系数的关键参数，此外，

缓变基区自建电场的漂移作用使基区输运系数增大。跟均匀基区一样，缓变基区注入效率与发射结两边的

杂质浓度密切相关，发射区杂质浓度比基区越高，注入效率也越高。

2、双极型三极管的频率特性双极型三极管的频率特性表现为，在一定的输入信号作用下，输出响应