半导体制造过程控制系统（PCS）系列：沉积控制系统_（6）.原子层沉积(ALD)过程控制.docx

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原子层沉积(ALD)过程控制

1.原子层沉积(ALD)的基本概念

原子层沉积（AtomicLayerDeposition,ALD）是一种先进的薄膜沉积技术，广泛应用于半导体制造中。ALD通过交替供应前驱体和反应气体，逐层沉积原子或分子，从而实现精确控制薄膜厚度和成分。与化学气相沉积（CVD）相比，ALD具有更好的均匀性和保形性，适用于复杂结构和高纵横比特征的沉积。

1.1ALD的工作原理

ALD的基本工作原理是基于自限反应（Self-LimitingReactions）。每个沉积周期包括四个基本步骤：

前驱体脉冲：将前驱体气体引入反应室，与基