半导体制造过程控制系统（PCS）系列：光刻控制系统_2.光刻技术的基本原理.docx

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2.1光刻技术的概述

光刻技术是半导体制造中最关键的步骤之一，用于在硅片上精确地定义电路图案。这一过程涉及到使用光敏材料（光刻胶）和特定波长的光（通常是紫外线）来转移设计图案。光刻技术的基本原理可以分为以下几个步骤：

前处理：清洁硅片表面，预涂光刻胶，预烘。

曝光：使用掩模版和曝光机将图案投影到光刻胶上。

显影：通过化学显影剂去除未曝光或曝光部分的光刻胶。

后处理：硬烘，检查和修正。

蚀刻：去除光刻胶下的材料，形成最终的电路图案。

去胶：去除剩余的光刻胶。

光刻技术的精度直接影响半导体器件的性能和可靠性，因此对其控制和优化至关重要。

2.2光刻胶的种