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人教版高中物理选择性必修第二册课后习题 第1章 安培力与洛伦兹力 分层作业6 质谱仪与回旋加速器.docVIP

人教版高中物理选择性必修第二册课后习题 第1章 安培力与洛伦兹力 分层作业6 质谱仪与回旋加速器.doc

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分层作业6质谱仪与回旋加速器

A组必备知识基础练

题组一质谱仪

1.(广东广州高二期末)质谱仪可以用来分析同位素。如图所示,在容器A中有互为同位素的两种原子核,它们可从容器A下方的小孔S1无初速度飘入加速电场,经小孔S3垂直进入匀强磁场,分别打到M、N两点,M、N到S3的距离分别为、N的原子核的质量之比为()

A.x1x2

C.x12

2.(多选)质谱仪是一种测定带电粒子质量和分析同位素的重要工具,它的构造原理如图所示,离子源S产生的各种不同正离子束(初速度可看为零),经加速电场加速后垂直进入有界匀强磁场,到达记录它的照相底片P上,设离子在P上的位置到入口处S1的距离为x,可以判断()

A.若离子束是同位素,则x越大,离子质量越大

B.若离子束是同位素,则x越大,离子质量越小

C.只要x相同,则离子质量一定相同

D.只要x相同,则离子的比荷一定相同

3.现代质谱仪可用来分析比质子重很多倍的离子,其示意图如图所示,其中加速电压恒定。质子在入口处从静止开始被加速电场加速,经匀强磁场偏转后从出口离开磁场。若某种一价正离子在入口处从静止开始被同一加速电场加速,为使它经匀强磁场偏转后仍从同一出口离开磁场,需将磁感应强度增加到原来的12倍。此离子和质子的质量比约为()

A.11 B.12 C.121 D.144

题组二回旋加速器

4.如图所示,回旋加速器是加速带电粒子的装置,其主体部分是两个D形金属盒。两金属盒处在垂直于盒面的匀强磁场中,a、b分别与高频交流电源两极相连接,下列说法正确的是()

A.粒子从磁场中获得能量

B.带电粒子的运动周期是变化的

C.粒子由加速器的中心附近进入加速器

D.增大金属盒的半径,粒子射出时的最大动能不变

5.(江苏扬州高二期末)用如图所示的回旋加速器加速?24He粒子时,匀强磁场的磁感应强度为B,高频交流电源频率为f。若用其加速质子

A.仅f变为原来的2倍

B.仅f变为原来的4倍

C.仅B变为原来的2倍

D.仅B变为原来的4倍

6.(四川绵阳中学高二期末)图甲是回旋加速器的原理示意图,其核心部分是两个D形金属盒,在加速带电粒子时,两金属盒置于匀强磁场中(磁感应强度大小恒定),并分别与高频电源相连,加速时某带电粒子的动能Ek随时间t的变化规律如图乙所示,已知带电粒子的质量为m、电荷量为q,磁感应强度为B,若忽略带电粒子在电场中的加速时间,则下列判断正确的是()

A.在Ek-t图像中,t1=2πm

B.在Ek-t图像中,t4-t3=t3-t2=t2-t1

C.高频电源的变化周期应该等于tn-tn-1

D.根据图像,粒子加速次数越多,粒子获得的最大动能一定越大

B组关键能力提升练

7.(山东德州第一中学高二期末)质谱仪是一种测定带电粒子质量和分析同位素的重要工具。图中的铅盒A中的放射源放出大量带正电的粒子(可认为初速度为零),从狭缝S1进入电压为U的加速电场区加速后,再通过狭缝S2从小孔G垂直于MN射入偏转磁场,该偏转磁场是以直线MN为切线、磁感应强度为B、方向垂直于纸面向外、半径为R的圆形匀强磁场,现在MN上的F点(图中未画出)接收到该粒子,且GF=3R,则该粒子的比荷为(粒子的重力忽略不计)()

A.3UR2

C.6UR2

8.(安徽合肥包河区高二月考)回旋加速器利用带电粒子在匀强磁场中做圆周运动的特点,使粒子在较小的空间范围内经过电场的多次加速获得较大的能量。如图为一种改进后的回旋加速器示意图,其中盒缝间的加速电场的电场强度大小恒定,且被限制在A、C板间,带电粒子从P0处由静止释放,并沿电场线方向射入加速电场,经加速后再进入D形盒中的匀强磁场中做匀速圆周运动。对于这种改进后的回旋加速器,下列说法正确的是()

A.带电粒子每运动半周被加速一次

B.P1、P2间距离等于P2、P3间距离

C.粒子能获得的最大速度与D形盒的尺寸有关

D.A、C板间的加速电场的方向需要做周期性的变化

C组核心素养拔高练

9.(湖北十堰高二期末)如图所示,静止于A处的带正电粒子,经加速电场加速后沿图中四分之一虚线圆弧通过静电分析器,从P点垂直CN竖直向上进入矩形区域的有界匀强磁场,磁场方向如图所示,其中CNQD为匀强磁场的边界。静电分析器通道内有均匀辐向分布的电场,方向如图所示。已知加速电场的电压U=qm(只表示电压的大小),电场中虚线圆弧的半径为R,粒子的质量为m,电荷量为q,lQN=2d,lPN

(1)求粒子经过辐向电场时其所在处的电场强度大小。

(2)若要使带电粒子只能打在NC边上,求磁感应强度B满足的条件。

(3)调节磁场强弱可以使粒子打在QN边上不同位置,求在能到达QN边的粒子中,离N点最远的粒子在磁

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