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化学机械平坦化（CMP）基本原理
化学机械平坦化（CMP）的定义
化学机械平坦化（ChemicalMechanicalPolishing，CMP）是一种在半导体制造过程中用于实现晶圆表面平坦化的技术。通过化学反应和机械摩擦的结合，CMP可以有效地去除晶圆表面的不平和缺陷，确保后续工艺步骤的顺利进行。CMP技术在先进工艺节点（如14nm、7nm、5nm等）中尤为重要，因为这些工艺节点对晶圆表面的平坦度要求极高。
CMP的工作原理
CMP的工作原理可以分为两个主要部分：化学反应和机械摩擦。
化学反应
化学反应剂：CMP过程中使用的化学反应剂通常包括酸、碱
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