N、B共掺杂MXene复合材料的制备及其电化学性能研究 .pdfVIP

N、B共掺杂MXene复合材料的制备及其电化学性能研究

孙贺雷;李云飞;易荣华;王若冲;周爱军;孙义民

【摘要】通过对Ti3A1C2MAX相陶瓷粉进行刻蚀、插层、超声处理,制备出片状

Ti3C2TxMXene.以离子液体1-丁基-3-甲基咪唑四氟硼酸盐作为杂原子掺杂的氮

源和硼源,通过不同温度热处理,得到新型的N、B掺杂MXene(N,B-Ti3C2Tx)作为

超级电容器的电极材料.考察了煅烧温度对其电容性能的影响,结果表明,最佳煅烧温

度为300℃,此时电容性能得到有效提高.在扫描速率为100mV/s时测得N,B-

Ti3C2Tx-300℃的质量电容为65F/g,是相同条件下Ti3C2Tx电容的5.5倍.EIS结

果表明,N,B-Ti3C2Tx-300℃的接触电阻为0.52Ω.循环稳定性测试表明,当电流密

度为2A/g时,充放电循环1000次后的电容保持率为84％.

【期刊名称】《储能科学与技术》

【年(卷),期】2019(008)001

【总页数】8页(P130-137)

【关键词】MXene;离子液体;氮硼共掺杂;电容性能

【作者】孙贺雷;李云飞;易荣华;王若冲;周爱军;孙义民

【作者单位】武汉工程大学材料科学与工程学院,等离子体化学与新材料湖北省重

点实验室,湖北武汉430205;武汉工程大学材料科学与工程学院,等离子体化学与新

材料湖北省重点实验室,湖北武汉430205;武汉工程大学材料科学与工程学院,等离

子体化学与新材料湖北省重点实验室,湖北武汉430205;武汉工程大学材料科学与

工程学院,等离子体化学与新材料湖北省重点实验室,湖北武汉430205;武汉工程大

学材料科学与工程学院,等离子体化学与新材料湖北省重点实验室,湖北武汉

430205;武汉工程大学材料科学与工程学院,等离子体化学与新材料湖北省重点实验

室,湖北武汉430205

【正文语种】中文

【中图分类】TM53

近年来，二维材料以其巨大的表面积、柔性的层状通道和可调控的电子结构在超级

电容器领域展现出了巨大的应用潜力和广阔的发展前景[1-2]。其中，过渡金属碳

化物纳米片（MXene）材料于2011年被美国Drexel大学研究人员所发现，主要

通过选择性刻蚀三元层状化合物材料MAX中A层而得到，GOGOTSI等[3-5]在

此领域做了大量开拓性研究。相对于传统超级电容器使用的碳材料，二维层状

MXene材料具有更好的电子导电率、更高的堆积密度、更强的单位体积存储电荷

能力等优势，使得MXene材料在超级电容器领域应用具有高的容量（约360

F/cm3）[6]。但是研究发现，通常MXene的层间储能领域不能完全发挥作用，

原因在于其自身具有较大的表面能，引发片层间的聚集和堆叠，导致电解液的传输

效率大大降低，严重限制了MXene片层的电化学利用率。为了克服这一缺点，

ZHAO等[7]将MXene和CNT通过层层交叉的方法使两者抽滤复合成膜，提高了

MXene的充放电循环稳定性，在10A/g电流密度下经10000次充放电循环，仍

保持良好的电容稳定性；LIN等[8]将1-乙基-3-甲基咪唑三氟甲磺酰基盐与

MXene通过真空抽滤的方式制备成膜，证明了1-乙基-3-甲基咪唑三氟甲磺酰基

盐能有效拓宽MXene的实际电位范围，在电压区间为3V，扫描速率为20mV/s

时，电容可达70F/g，并且提高了MXene的电容倍率。鉴于此，目前关于

MXene复合材料的制备大部分利用抽滤的方法来制备，虽然实验过程操作简单，

但容易加速MXene自身堆叠，而且，往往造成局部材料复合不均匀的现象发生，

导致其电化学性能不稳定，严重限制了实际应用。

另外，MXene不规则的形状与较小片层尺寸，也使MXene之间存在较大的接触

电阻，限制了MXene导电网络的形成。为了发挥材料的最优性能，许多研究工作

借鉴制备石墨烯复合材料的制备方法，将MXene与聚合物