SiC功率模块和SiC MOSFET单管不同的散热安装形式.pdf

SiC功率模块和SiCMOSFET单管不同的散热

安装形式

在本系列的前几篇文章中[1-7]，我们介绍了基于安森美丰富的SiC功率

模块和其他功率器件开发的25kWEV快充系统。

在这一章，我们来看看其中的热管理部分是如何提高效率和可靠性，同

时防止系统过早失效的。

首先，我们会从开关损耗和散热贴装两个方面来复习一下SiCMOSFET

模块相对分立SiCMOSFET的几个优势。其次，我们将描述如何利用热管理

技术和计算来设计散热风扇的安装和其控制系统，以及如何使使用SiC功率

模块的内置NTC来控制风扇自动为PFC和DC-DC部分降温。最后我们详

细了解用于调节风扇转速的PWM-电压转换器的设计，并通过模拟来展示其

运行的关键方面和补偿器的设计。

单管vs模块

开关损耗

相比SiCMOSFET单管，SiCMOSFET模块的工作效率通常更高，因

为其具有更小的寄生效应。举个例子，下表是1200V/20mΩ/TO247-4LD

的SiCMOSFET单管NTH4L020N120SC1和SiCMOSFET模块

NXH020F120MNF1PTG的对比。

表1.SiCMOSFET单管vsSiCMOSFET模块：开关损耗

表1中的参数取自产品的数据表，它们表明模块具有更低的开关损耗。

封装中的寄生电感更低，从而使功率能力更高。因此，对于同样的输出功率，

SiC模块可以在更高的开关频率下工作。更高的开关频率操作有助于减少无

源元件的尺寸，以及整体设计尺寸。

散热贴装

封装在热管理中起着重要作用。分立MOSFET和模块的热贴装是不一

样的。在分立MOSFET封装中，Die与一块铜垫相连，而这种铜垫从外观看

是作为导热层与空气和外部接触的。不过，也可以在MOSFET和散热器之

间加入了一种热介质材料(ThermalInterfaceMaterial)或热化合物，z额

外的这一层是为了：

提高铜垫至散热片的热导率

实现铜垫和散热片之间的电气绝缘

图1.分立MOSFET的散热贴装示意图

SiCMOSFET单管NTH4L020N120SC1的结-壳热阻是0.3℃/W。如

果在MOSFET和散热片之间增加一层具有3℃/W热阻的TIM散热层，则

参考图3和表2所示，MOSFET和散热片之间的整体热阻提高为3.3℃/W。

功率模块的散热贴装与分立MOSFET完全不同。由于模块使用了直接

覆铜陶瓷基板(DBC,DirectBondingCooper)作为Die的承载体，结-壳热

阻已经包含了绝缘层。

表1的功率模块NXH020F120MF1PTG预先增加了相变材料散热层

(PCM，PhaseChangeMaterial)，PCM作为填补DBC和散热片的空隙是

非常好的选择，因为它能够最大程度上增加接触面积，减少整体热阻，如图

2。

图2.功率模块的散热贴装示意图

你可以在功率模块NXH020F120MNF1PTG的规格书里找到结-壳热阻

和结-散热片热阻参数，分别是0.45℃/W和0.80℃/W。表2总结了这些数

值。

表2.SiCMOSFET单管vsSiCMOSFET模块：热阻

虽然单管的结-壳热阻较低，但整体的热阻相比模块高出不少，而且模块

的导热能力更好。相同规格的Die的情况，模块可以在更高的功率下运行

(NTH4L020N120SC1